Texas Instruments Typ N Kanal, MOSFET, 10.7 A 12 V Förbättring, VSONP AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 252-8482
- Tillv. art.nr:
- CSD17578Q3AT
- Tillverkare / varumärke:
- Texas Instruments
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
- RS-artikelnummer:
- 252-8482
- Tillv. art.nr:
- CSD17578Q3AT
- Tillverkare / varumärke:
- Texas Instruments
Specifikationer
Lagstiftning och ursprungsland
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Texas Instruments | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 10.7A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 12V | |
| Kapseltyp | VSONP | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 12.9mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal effektförlust Pd | 1.9W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Texas Instruments | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 10.7A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 12V | ||
Kapseltyp VSONP | ||
Typ av fäste Yta | ||
Maximal drain-källresistans Rds 12.9mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal effektförlust Pd 1.9W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Relaterade länkar
- Texas Instruments Typ N Kanal, MOSFET, 10.7 A 12 V Förbättring, VSONP AEC-Q101
- Texas Instruments Typ N Kanal, MOSFET, 10.7 A 12 V Förbättring, DSBGA AEC-Q101
- Texas Instruments Typ N Kanal, MOSFET, 10.7 A 12 V Förbättring, VSON-CLIP AEC-Q101
- Texas Instruments Typ N Kanal, MOSFET, 14 A 100 V Förbättring, 8 Ben, VSONP
- Texas Instruments Typ P Kanal, MOSFET, 76 A 20 V Förbättring, 8 Ben, VSONP, NexFET
- Texas Instruments Typ N Kanal, MOSFET, 12 A 60 V Förbättring, 8 Ben, VSONP, NexFET
- Texas Instruments Typ N Kanal, MOSFET, 3 A 30 V Förbättring, 8 Ben, VSONP, NexFET
- Texas Instruments Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 100 V Förbättring, 8 Ben, VSONP, NexFET
