Texas Instruments N Kanal, MOSFET, 10.7 A 12 V Förbättring, VSON-CLIP AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 252-8477
- Tillv. art.nr:
- CSD17308Q3T
- Tillverkare / varumärke:
- Texas Instruments
Få en mängdrabatt
Lägg till 50 till för att spara 23,50 kr
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 10 enheter)*
93,18 kr
(exkl. moms)
116,48 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 460 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* | Besparing |
|---|---|---|---|
| 10 - 40 | 9,318 kr | 93,18 kr | - |
| 50 - 90 | 8,848 kr | 88,48 kr | 23,50 kr |
| 100 - 240 | 7,952 kr | 79,52 kr | 136,60 kr |
| 250 - 490 | 7,168 kr | 71,68 kr | 537,50 kr |
| 500 + | 6,81 kr | 68,10 kr | 1 254,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 252-8477
- Tillv. art.nr:
- CSD17308Q3T
- Tillverkare / varumärke:
- Texas Instruments
Specifikationer
Lagstiftning och ursprungsland
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Texas Instruments | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 10.7A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 12V | |
| Kapseltyp | VSON-CLIP | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 12.9mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 1.9W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Texas Instruments | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 10.7A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 12V | ||
Kapseltyp VSON-CLIP | ||
Typ av fäste Yta | ||
Maximal drain-källresistans Rds 12.9mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 1.9W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Relaterade länkar
- Texas Instruments N Kanal, MOSFET, 10.7 A 12 V Förbättring, VSON-CLIP AEC-Q101
- Texas Instruments N Kanal, MOSFET, 10.7 A 12 V Förbättring, VSONP AEC-Q101
- Texas Instruments N Kanal, MOSFET, 10.7 A 12 V Förbättring, DSBGA AEC-Q101
- Texas Instruments N Kanal, MOSFET, 157 A 80 V Förbättring, 8 Ben, VSON, NexFET
- Texas Instruments N Kanal, MOSFET, 110 A 100 V Förbättring, 8 Ben, VSON, NexFET
- Texas Instruments N Kanal, MOSFET, 204 A 40 V Förbättring, 8 Ben, VSON, NexFET
- Texas Instruments Typ P Kanal, MOSFET, 104 A 20 V Förbättring, 8 Ben, VSON, NexFET
- Texas Instruments N Kanal, MOSFET, 2.3 A 30 V Förbättring, PICOSTAR AEC-Q101