Vishay N Kanal, MOSFET, 243 A 30 V Förbättring, 4 Ben, PowerPAK SO-8L AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 252-0305
- Tillv. art.nr:
- SQJ154EP-T1_GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (10 enheter, i en förpackning med 10)*
125,55 kr
(exkl. moms)
156,94 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 50 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 12,555 kr | 125,55 kr |
| 100 - 240 | 11,805 kr | 118,05 kr |
| 250 - 490 | 10,662 kr | 106,62 kr |
| 500 - 990 | 10,069 kr | 100,69 kr |
| 1000 + | 9,419 kr | 94,19 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 252-0305
- Tillv. art.nr:
- SQJ154EP-T1_GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 243A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Kapseltyp | PowerPAK SO-8L | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.0025mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.1V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 43nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 214W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | AEC-Q101 | |
| Bredd | 4.9mm | |
| Längd | 6.15mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 243A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Kapseltyp PowerPAK SO-8L | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.0025mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.1V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 43nC | ||
Maximal effektförlust Pd 214W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden AEC-Q101 | ||
Bredd 4.9mm | ||
Längd 6.15mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Vishay fordons-MOSFET-transistorer tillverkas på ett dedikerat processflöde för stadig robusthet. Vishay siliconix AEC-Q101-kvalificerade SQ-serien är klassad för en maximal kopplingstemperatur på 175 °C och har n- och p-kanaliga trench FET-tekniker med låg påslagningsresistans i bly (Pb)- och halogenfria SO-kapslar.
TrenchFET Gen IV Power MOSFET
AEC-Q101-godkänd
100 % Rg och UIS-testad
Relaterade länkar
- Vishay N Kanal, MOSFET, 243 A 30 V Förbättring, 4 Ben, PowerPAK SO-8L AEC-Q101
- Vishay N Kanal, MOSFET, 99 A 40 V Förbättring, 4 Ben, PowerPAK SO-8L, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N Kanal, MOSFET, 350 A 40 V Förbättring, 4 Ben, PowerPAK SO-8L, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N Kanal, MOSFET, 66 A 80 V Förbättring, 4 Ben, PowerPAK SO-8L, SQJ AEC-Q101
- Vishay N Kanal, MOSFET, 98 A 150 V Förbättring, 4 Ben, PowerPAK SO-8L, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay P-kanal Kanal, MOSFET, -128 A -80 V Förbättring, 4 Ben, PowerPAK SO-8L, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N Kanal, MOSFET, 410 A 30 V Avskrivningar, 4 Ben, PowerPAK SO-8L AEC-Q101
- Vishay N Kanal, MOSFET, 210 A 80 V, 8 Ben, PowerPAK SO-8L, SQJ AEC-Q101