Vishay 2 N Kanal Dubbel, Dubbla N-kanals 30 V (D-S) MOSFET, 100 A 30 V, 12 Ben, PowerPAIR 3 x 3FS
- RS-artikelnummer:
- 252-0295
- Tillv. art.nr:
- SIZF5302DT-T1-RE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Få en mängdrabatt
Lägg till 50 till för att spara 94,10 kr
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
155,01 kr
(exkl. moms)
193,76 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 6 035 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* | Besparing |
|---|---|---|---|
| 5 - 45 | 31,002 kr | 155,01 kr | - |
| 50 - 120 | 29,12 kr | 145,60 kr | 94,10 kr |
| 125 - 245 | 26,32 kr | 131,60 kr | 585,25 kr |
| 250 - 495 | 24,774 kr | 123,87 kr | 1 557,00 kr |
| 500 + | 23,252 kr | 116,26 kr | 3 875,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 252-0295
- Tillv. art.nr:
- SIZF5302DT-T1-RE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | Dubbla N-kanals 30 V (D-S) MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 100A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Kapseltyp | PowerPAIR 3 x 3FS | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 12 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.0032Ω | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 16V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 48.1W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 6.7nC | |
| Transistorkonfiguration | Dubbel | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Antal element per chip | 2 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp Dubbla N-kanals 30 V (D-S) MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 100A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Kapseltyp PowerPAIR 3 x 3FS | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 12 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.0032Ω | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 16V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 48.1W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 6.7nC | ||
Transistorkonfiguration Dubbel | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Antal element per chip 2 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Vishay Siliconix MOSFET-produktserien innehåller ett mångsidigt utbud av avancerade tekniker. MOSFET-transistorer är transistornheter som styrs av en kondensator. Fälteffekten innebär att de styrs av spänning. N-kanal MOSFET-transistorer innehåller ytterligare elektroner som är fria att röra sig. De är en mer populär kanaltyp. N-kanal MOSFET-transistorer fungerar när en positiv laddning appliceras på grindterminalen.
TrenchFET Gen V effekt-MOSFET
Symmetrisk dubbel N-kanal
Flip chip-teknik med optimal termisk design
MOSFET-form optimerad på hög- och lågsidan
Kombination för 50 % arbetscykel
Optimerad RDS - Qg och RDS - Qgd FOM ökar effektiviteten
För högfrekvensswitch
Relaterade länkar
- Vishay 2 N Kanal Dubbel, Dubbla N-kanals 30 V (D-S) MOSFET, 100 A 30 V, 12 Ben, PowerPAIR 3 x 3FS
- Vishay Dubbel N Kanal, MOSFET, 100 A 30 V Förbättring, 12 Ben, PowerPAIR 3 x 3FS, SIZF5302DT
- Vishay Dubbel N Kanal, MOSFET, 125 A 30 V Förbättring, 12 Ben, PowerPAIR 3 x 3FS, TrenchFET
- Vishay 2 N Kanal Dubbel, MOSFET, 125 A 30 V, 12 Ben, PowerPAIR 3 x 3FS, SiZF5300DT
- Vishay N Kanal, Enkla MOSFETs, 34.6 A 70 V Förbättringsläge, 8 Ben, PowerPAIR 3 x 3FS, TrenchFET
- Vishay Dubbel N Kanal, MOSFET, 60 A 70 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAIR 3 x 3FS, SIZF456LDT
- Vishay N Kanal, MOSFET, 16 A 30 V, PowerPAIR
- Vishay Siliconix 2 N Kanal Dubbel, Effekt-MOSFET, 30 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAIR 3 x 3, TrenchFET