Vishay N Kanal, MOSFET, 36.2 A 60 V Avskrivningar, 8 Ben, PowerPAK 1212-8 AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

9 000,00 kr

(exkl. moms)

11 250,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 6 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 +3,00 kr9 000,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
252-0288
Tillv. art.nr:
SIS4608LDN-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

36.2A

Maximal källspänning för dränering Vds

60V

Kapseltyp

PowerPAK 1212-8

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

0.01mΩ

Kanalläge

Avskrivningar

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

1.1V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

14.5nC

Maximal effektförlust Pd

33.7W

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

No

Längd

3.3mm

Bredd

3.3mm

Fordonsstandard

AEC-Q101

Vishay Siliconix MOSFET-produktserien innehåller ett mångsidigt utbud av avancerade tekniker. MOSFET-transistorer är transistornheter som styrs av en kondensator. Fälteffekten innebär att de styrs av spänning. N-kanal MOSFET-transistorer innehåller ytterligare elektroner som är fria att röra sig. De är en mer populär kanaltyp. N-kanal MOSFET-transistorer fungerar när en positiv laddning appliceras på grindterminalen.

TrenchFET Gen V effekt-MOSFET

Mycket låg RDS - Qg meritfaktor (FOM)

Inställd för den lägsta RDS - Qoss FOM

100 % Rg och UIS-testad

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.