ROHM N Kanal, MOSFET, 10.7 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, RCJ451N20
- RS-artikelnummer:
- 249-1134
- Tillv. art.nr:
- RCJ451N20TL
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (2 enheter, i en förpackning med 2)*
78,51 kr
(exkl. moms)
98,14 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 56 enhet(er) från den 05 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 48 | 39,255 kr | 78,51 kr |
| 50 - 98 | 35,335 kr | 70,67 kr |
| 100 - 248 | 33,545 kr | 67,09 kr |
| 250 - 498 | 32,87 kr | 65,74 kr |
| 500 + | 28,895 kr | 57,79 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 249-1134
- Tillv. art.nr:
- RCJ451N20TL
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | ROHM | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 10.7A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 200V | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Serie | RCJ451N20 | |
| Typ av fäste | Ytmontering | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 2.7mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 30V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 104W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 80nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke ROHM | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 10.7A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 200V | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Serie RCJ451N20 | ||
Typ av fäste Ytmontering | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 2.7mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 30V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 104W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 80nC | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
ROHM N-kanals effekt-MOSFET med låg påslagningsresistans och snabb omkoppling, lämplig för omkopplingstillämpningar, har 200 V avtappning-källspänning och 45 A avtappningsström, tejpförpackningstyp.
Låg på-resistans
Snabb kopplingshastighet
Parallell användning är enkel
Blyfri plätering
RoHs-kompatibel
100-procentigt lavintestat
Drivkretsar kan vara enkla
Relaterade länkar
- ROHM N Kanal, MOSFET, 10.7 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, RCJ451N20
- ROHM N Kanal, MOSFET, 10.7 A 250 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, RCJ331N25
- ROHM N Kanal, MOSFET, 10.7 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB
- ROHM N Kanal, MOSFET, 10.7 A 30 V Förbättring, 7 Ben, HEML1616L7, RW4E065GN
- ROHM N Kanal, MOSFET, 10.7 A 40 V Förbättring, TSMT-8, RQ7L055BG AEC-Q101
- ROHM N Kanal, MOSFET, 10.7 A 12 V Förbättring, HSOP-8, RS6L120BG AEC-Q101
- ROHM N Kanal, MOSFET, 10.7 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, R6520KNX3
- ROHM N Kanal, MOSFET, 10.7 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, R6524KNX3