ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 10.7 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, R6515KNX3

Se alla MOSFET-transistor
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
249-1120
Tillv. art.nr:
R6515KNX3C16
Tillverkare / varumärke:
ROHM
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

ROHM

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

10.7A

Maximal källspänning för dränering Vds

650V

Serie

R6515KNX3

Kapseltyp

TO-220

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

2.7mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

104W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

27.5nC

Maximal spänning för grindkälla Vgs

30V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

Pb-Free Plating, RoHS

Fordonsstandard

Nej

ROHM höghastighetsomkopplande N-kanal 650 V, 15 A drain-ström effekt-MOSFET är höghastighetsomkopplingsprodukter, superförbindnings-MOSFET, som lägger stor vikt vid hög effektivitet. Denna serie av produkter uppnår högre effektivitet via höghastighetsomkoppling,

Låg på-resistans

Ultrasnabb omkoppling

Parallell användning är enkel

Blyfri plätering

RoHS-kompatibel

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.