ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 10.7 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, R6520KNX3
- RS-artikelnummer:
- 249-1122
- Tillv. art.nr:
- R6520KNX3C16
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 2 enheter)*
48,16 kr
(exkl. moms)
60,20 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 948 enhet(er) från den 24 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 48 | 24,08 kr | 48,16 kr |
| 50 - 98 | 21,73 kr | 43,46 kr |
| 100 - 248 | 21,055 kr | 42,11 kr |
| 250 - 498 | 20,61 kr | 41,22 kr |
| 500 + | 17,75 kr | 35,50 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 249-1122
- Tillv. art.nr:
- R6520KNX3C16
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | ROHM | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 10.7A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Serie | R6520KNX3 | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 2.7mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 104W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 40nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke ROHM | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 10.7A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Serie R6520KNX3 | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 2.7mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 104W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 40nC | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
ROHM höghastighetsomkopplande N-kanal 650 V, 20 A drain-ström effekt-MOSFET är höghastighetsomkopplingsprodukter, superförbindnings-MOSFET, som lägger stor vikt vid hög effektivitet, denna seriens produkter uppnår högre effektivitet via höghastighetsomkoppling, h
Låg på-resistans
Ultrasnabb omkoppling
Parallell användning är enkel
Blyfri plätering
RoHs-kompatibel
Relaterade länkar
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 10.7 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, R6520KNX3
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 10.7 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, R6515KNX3
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 10.7 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, R6524KNX3
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 30 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, R6530KNX3
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 35 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, R6535KNX3
- ROHM Typ P Kanal, MOSFET, 10.7 A 12 V Förbättring, SOT, BSS84WAHZG AEC-Q101
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 10.7 A 30 V Förbättring, 7 Ben, HEML1616L7, RW4E065GN
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 10.7 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB