onsemi Isolerad Typ N Kanal, SiC-effektmodul, 304 A 1200 V, 36 Ben, F2

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rör med 60 enheter)*

128 839,56 kr

(exkl. moms)

161 049,48 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 02 augusti 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rör*
60 +2 147,326 kr128 839,56 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
229-6509
Tillv. art.nr:
NXH006P120MNF2PTG
Tillverkare / varumärke:
onsemi
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

onsemi

Produkttyp

SiC-effektmodul

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

304A

Maximal källspänning för dränering Vds

1200V

Kapseltyp

F2

Typ av fäste

Chassi

Antal ben

36

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

847nC

Maximal effektförlust Pd

950W

Framåtriktad spänning Vf

6V

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal arbetstemperatur

175°C

Transistorkonfiguration

Isolerad

Höjd

17mm

Längd

63.3mm

Standarder/godkännanden

Halide Free, Pb-Free, RoHS

Fordonsstandard

Nej

Effektmodulen från ON Semiconductor innehåller en 1200 V SiC MOSFET-halvbrygga och en termistor i en F2-kapsel. Den används vanligtvis i solcellsväxelriktare, UPS, laddstationer för elfordon och industriell kraft.

Alternativ med förtillverkad termisk gränssnittsmaterial

Alternativ med lödbara stift och press-fit-stift

Blyfri

RoHS-kompatibel

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.