DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 10.7 A 12 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI5060-8 AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 254-8642
- Tillv. art.nr:
- DMPH33M8SPSWQ-13
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
128,80 kr
(exkl. moms)
161,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 2 375 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 25,76 kr | 128,80 kr |
| 50 - 95 | 24,416 kr | 122,08 kr |
| 100 - 245 | 22,534 kr | 112,67 kr |
| 250 - 995 | 22,132 kr | 110,66 kr |
| 1000 + | 15,03 kr | 75,15 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 254-8642
- Tillv. art.nr:
- DMPH33M8SPSWQ-13
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | DiodesZetex | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 10.7A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 12V | |
| Kapseltyp | PowerDI5060-8 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 41mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal effektförlust Pd | 1.73W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Höjd | 1mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 6.4mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke DiodesZetex | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 10.7A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 12V | ||
Kapseltyp PowerDI5060-8 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 41mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal effektförlust Pd 1.73W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Höjd 1mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 6.4mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
DiodeZetex förstärkningsläge MOSFET har utformats för att uppfylla de strikta kraven för fordonstillämpningar. Den är kvalificerad enligt AEC-Q101, stöds av en PPAP och är idealisk för användning i omkopplare.
Låg påslagningsresistans
Hög omvandlingsenergi
Halogen- och antimonfri
Relaterade länkar
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 10.7 A 12 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI5060-8 AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 10.7 A 12 V Förbättring, PowerDI5060-8 AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 10.7 A 12 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI5060-8, DMP AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 9 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI5060-8 AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 50 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI5060-8 AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 10.7 A 12 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI3333-8 AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 76 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI5060, DMP4011 AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 11 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI5060, DMP4015SPS AEC-Q101