DiodesZetex Typ P, Typ N Kanal, MOSFET, 10 A 12 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI5060-8
- RS-artikelnummer:
- 246-7495
- Tillv. art.nr:
- DMC1018UPDWQ-13
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 25 enheter)*
172,35 kr
(exkl. moms)
215,45 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 550 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | 6,894 kr | 172,35 kr |
| 50 - 75 | 6,751 kr | 168,78 kr |
| 100 - 225 | 5,282 kr | 132,05 kr |
| 250 - 975 | 5,179 kr | 129,48 kr |
| 1000 + | 4,744 kr | 118,60 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 246-7495
- Tillv. art.nr:
- DMC1018UPDWQ-13
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | DiodesZetex | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ P, Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 10A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 12V | |
| Kapseltyp | PowerDI5060-8 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.053Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 12V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 17.1nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 25W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke DiodesZetex | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ P, Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 10A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 12V | ||
Kapseltyp PowerDI5060-8 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.053Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 12V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 17.1nC | ||
Maximal effektförlust Pd 25W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
DiodesZetex är utformad för att uppfylla de strikta kraven för fordonstillämpningar. Det är en grön enhet som är helt fri från bly, halogen och antimon. Denna MOSFET levereras i powerDI5060-8-förpackning. Den erbjuder snabb omkoppling och hög effektivitet. Dess 100 % oklämda induktiva omkoppling säkerställer mer tillförlitlig och robust slutanvändning. Den har ett arbetstemperaturområde på -55 °C till +150 °C.
Maximal dränering till källspänning är 60 V och maximal grind till källspänning är ±20 V Den erbjuder låg påslagningsresistans Den har låg grindströskelspänning Den erbjuder en ESD-skyddad grind
Relaterade länkar
- DiodesZetex Typ P, Typ N Kanal, MOSFET, 10 A 12 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI5060-8
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 10.7 A 12 V Förbättring, PowerDI5060-8 AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 5.7 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI5060, DMP
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 37 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI5060, DMP32
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 9 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI5060-8 AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 10.7 A 12 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI5060-8 AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 50 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI5060-8 AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET 30 V, PowerDI5060-8