ROHM N Kanal, MOSFET, 180 A 1.2 kV N, Fack

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 enhet)*

4 808,38 kr

(exkl. moms)

6 010,48 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 24 maj 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
1 - 44 808,38 kr
5 +4 642,96 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
246-1507
Tillv. art.nr:
BSM180C12P3C202
Tillverkare / varumärke:
ROHM
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

ROHM

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

180A

Maximal källspänning för dränering Vds

1.2kV

Kapseltyp

Fack

Typ av fäste

Skruv

Kanalläge

N

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

ROHM BSM180C12P3C202 är en Sic-effektmodul med låg överspänning och låg omkopplingsförlust som är lämplig för värmeutrustning för omvandlare, solceller, vindkraft, och Sic-effektmodulen för halvbrygga är avsedd för tillämpningar som motorstyrning, inverterare, omvandlare, solceller, vindkraft, induktionsvärmeutrustning.

Låg överspänning

Låg omkopplingsförlust

Höghastighetsomkoppling möjlig

Minskat temperaturberoende

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.