ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 80 A 1200 V N, Fack

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 låda med 12 enheter)*

44 139,312 kr

(exkl. moms)

55 174,14 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 12 april 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per låda*
12 +3 678,276 kr44 139,31 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
246-1500
Tillv. art.nr:
BSM080D12P2C008
Tillverkare / varumärke:
ROHM
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

ROHM

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

80A

Maximal källspänning för dränering Vds

1200V

Kapseltyp

Fack

Typ av fäste

Skruv

Kanalläge

N

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

ROHM BSM080D12P2C008 är en halvbryggmodul som består av Sic DMOSFET och Sic-SBD. Denna effektmodul erbjuder låg spänningsförlust, låg omkopplingsförlust, hög hastighet, möjlig omkoppling, reducerat temperaturberoende, Sic-halvbryggströmsmodulen är perfekt för tillämpningar som motorstyrning, inverterare, omvandlare, solceller, vindkraft, induktionsvärmeutrustning.

Låg överspänning

Låg omkopplingsförlust

Höghastighetsomkoppling möjlig

Minskat temperaturberoende

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.