Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 43 A 60 V, 3 Ben, TO-252, AUIRFS AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 244-2876
- Tillv. art.nr:
- AUIRFR3806TRL
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 rulle med 3000 enheter)*
25 386,00 kr
(exkl. moms)
31 734,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 05 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | 8,462 kr | 25 386,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 244-2876
- Tillv. art.nr:
- AUIRFR3806TRL
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 43A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Serie | AUIRFS | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 3mΩ | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Maximal effektförlust Pd | 81W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 80nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 43A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Serie AUIRFS | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 3mΩ | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Maximal effektförlust Pd 81W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 80nC | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
The Infineon AUIRFR2905ZTRL specifically designed for Automotive applications, this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating .These features combine to make this design an extremely efficientand reliable device for use in Automotive applications and a widevariety of other applications.
Advanced Process Technology
Ultra Low On-Resistance
Dynamic dV/dT Rating
175°C Operating Temperature
Fast Switching
Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax
Lead-Free, RoHS Compliant
Automotive Qualified *
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal 43 A 60 V TO-252, AUIRFS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal 17 A 100 V TO-252, AUIRFS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal 24 A 200 V TO-252, AUIRFS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal 59 A 55 V TO-252, AUIRFS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal 35 A 100 V TO-252, AUIRFS AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal 230 A 75 V TO-252, AUIRFS AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal 13 A 150 V Förbättring TO-252, AUIRF AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal 13 A 100 V Förbättring TO-252, AUIRF AEC-Q101
