Infineon N Kanal, MOSFET, 381 A 40 V N, 8 Ben, SuperSO8 5 x 6, BSC

RS-artikelnummer:: 243-9308
Tillv. art.nr:: BSC0906NSATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon N Kanal, MOSFET, 381 A 40 V N, 8 Ben, SuperSO8 5 x 6, BSC

Antal (1 rulle med 5000 enheter)*

10 070,00 kr

(exkl. moms)

12 590,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

Tillfälligt slut

Leverans från den 14 oktober 2027

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rulle*
5000 +	2,014 kr	10 070,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 243-9308
Tillv. art.nr:: BSC0906NSATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Kanaltyp	N
	Produkttyp	MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	381A
	Maximal källspänning för dränering Vds	40V
	Serie	BSC
	Kapseltyp	SuperSO8 5 x 6
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	8
	Maximal drain-källresistans Rds	0.7mΩ
	Kanalläge	N
	Framåtriktad spänning Vf	1V
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	20V
	Maximal effektförlust Pd	81W
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	80nC
	Maximal arbetstemperatur	+150°C
	Standarder/godkännanden	RoHS
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Kanaltyp N
	Produkttyp MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 381A
	Maximal källspänning för dränering Vds 40V
	Serie BSC
	Kapseltyp SuperSO8 5 x 6
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 8
	Maximal drain-källresistans Rds 0.7mΩ
	Kanalläge N
	Framåtriktad spänning Vf 1V
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V
	Maximal effektförlust Pd 81W
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 80nC
	Maximal arbetstemperatur +150°C
	Standarder/godkännanden RoHS
	Fordonsstandard Nej

Datasheet - BSC0906NSATMA1

Infineon BSC-serien MOSFET, 40 V maximal drain-källspänning, 381 A maximal kontinuerlig drain-ström – BSC0906NSATMA1

Denna MOSFET är en ytmonterad N-kanalstransistor som är utformad för att växla och styra höga strömmar i kraftelektronikkretsar. Den fungerar i ett brett temperaturområde och är avsedd för tillämpningar som kräver betydande kontinuerlig dräneringsström och hög effekthantering i ett kompakt paket.

Funktioner och fördelar:

• 381 A kontinuerlig dräneringsström som möjliggör högströmsväxling
• 81 W effektförlust för hållbar hantering av termisk belastning
• 0.7 mΩ RDS(on) minimerar ledningsförluster under drift
• 40 V drain-source-klassning som stöder medelspänningssystem
• 80 nC grindladdning underlättar förutsägbar omkopplingskontroll

Användningsområden

• Lämpligt för högströms-DC-DC-omvandlarsteg
• Används för synkronlikriktelse i kraftmoduler
• Idealisk för utgångsstegen för motordrivenheter som kräver stora strömmar
• Kan användas för serverströmfördelning och VRM-konstruktioner
• Användbar i kompakta ytmonterade strömförsörjningsenheter

Vilket grindspänningsområde kan tillämpas på ett säkert sätt?

Grinddrivenheten får inte överstiga 20 V mellan grind och källa för att undvika att skada grindoxiden.

Vilka omgivningstemperaturer kan den tolerera under drift?

Den är specifik för drift från -55 °C upp till +150 °C, vilket möjliggör användning i miljöer med breda temperaturer.

Hur påverkar förpackningen monteringen och den termiska vägen?

Enheten levereras i ett SuperSO8-paket med storleken 5 x 6 mm för ytmontering, vilket ger en kort ledningsväg till kretskortsvärmeplan.

Vilken framåtspänning är relevant för ledningsscenarier?

Den framåtriktade spänningen är 1 V, vilket är relevant vid bedömning av spänningsfall i likriktning eller lågledande sammanhang.