Infineon N Kanal, MOSFET, 120 A 40 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, IAUC AEC-Q101

RS-artikelnummer:: 241-9891
Tillv. art.nr:: IAUC90N10S5N062ATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon N Kanal, MOSFET, 120 A 40 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, IAUC AEC-Q101

Antal (5000 enheter, på en rulle med 5000)*

31 880,00 kr

(exkl. moms)

39 850,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

Tillfälligt slut

Leverans från den 05 april 2027

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rulle*
5000 +	6,376 kr	31 880,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 241-9891
Tillv. art.nr:: IAUC90N10S5N062ATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Kanaltyp	N
	Produkttyp	MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	120A
	Maximal källspänning för dränering Vds	40V
	Kapseltyp	TDSON
	Serie	IAUC
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	8
	Maximal drain-källresistans Rds	0.7mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Maximal effektförlust Pd	81W
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	80nC
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Framåtriktad spänning Vf	1.1V
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	20V
	Maximal arbetstemperatur	175°C
	Standarder/godkännanden	RoHS
	Fordonsstandard	AEC-Q101

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Kanaltyp N
	Produkttyp MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 120A
	Maximal källspänning för dränering Vds 40V
	Kapseltyp TDSON
	Serie IAUC
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 8
	Maximal drain-källresistans Rds 0.7mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Maximal effektförlust Pd 81W
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 80nC
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Framåtriktad spänning Vf 1.1V
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V
	Maximal arbetstemperatur 175°C
	Standarder/godkännanden RoHS
	Fordonsstandard AEC-Q101

Datasheet - IAUC90N10S5N062ATMA1

Infineon IAUC-serien MOSFET, 81 W maximal effektförlust, 120 A maximal kontinuerlig avtappningsström - IAUC90N10S5N062ATMA1

Denna MOSFET är en strömomkopplande transistor som är utformad för miljöer med hög ström och hög temperatur, vilket ger kontrollerad ledning i N-kanalkonfigurationer med förstärkningsläge. Den är avsedd för ytmonteringstillämpningar där robusta termiska och elektriska prestanda krävs, och den uppfyller standarder för miljöbegränsningar.

Funktioner och fördelar:

• Drain-klassning på 40 V möjliggör växling av medelspänning
• 120 A kontinuerlig dräneringsström för höga strömbelastningar
• Låg påslagningsresistans på 0.7 mΩ minskar ledningsförlusterna
• 81 W effektförlust med stöd för ökad effekthantering
• 80 nC typisk grindladdning som möjliggör förutsägbar omkopplingsenergi
• 20 V grindtolerans ger bred grinddrivarflexibilitet

Användningsområden

• Lämplig för energihanteringsmoduler för fordon
• Idealisk för motorstyrningsstegen med hög strömstyrka
• Används för DC-DC-konvertering i industriella system
• Kan användas för batteriskydd och batteridistribution
• Lämplig för kompakta ytmonterade strömförsörjningsenheter

Vilket temperaturområde kan den användas över?

Den är specifik för drift från -55 °C upp till 175 °C för att rymma breda termiska omslag.

Vilken kapsling och monteringsstil använder den?

Den levereras i en TDSON-kapsel utformad för ytmontering för att styra kortfastigheter och termiska vägar.

Är den lämplig för fordonsdesignkrav?

Den uppfyller AEC-Q101-kvalificeringen och är RoHS-kompatibel för fordonstillämpningar.

Vilken kanal och vilket ledningsläge använder den?

Det är en N-kanal-enhet som arbetar i förstärkningsläge för kontrollerat omkopplingsbeteende.