Infineon N Kanal, MOSFET, 212 A 40 V N, 8 Ben, TSDSON-8 FL, BSZ
- RS-artikelnummer:
- 241-9883
- Tillv. art.nr:
- BSZ010NE2LS5ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 2 enheter)*
36,85 kr
(exkl. moms)
46,06 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Sista RS lager
- Slutlig(a) 4 996 enhet(er), redo att levereras
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 18,425 kr | 36,85 kr |
| 20 - 48 | 15,345 kr | 30,69 kr |
| 50 - 98 | 14,39 kr | 28,78 kr |
| 100 - 198 | 13,33 kr | 26,66 kr |
| 200 + | 12,375 kr | 24,75 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 241-9883
- Tillv. art.nr:
- BSZ010NE2LS5ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 212A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Kapseltyp | TSDSON-8 FL | |
| Serie | BSZ | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.7mΩ | |
| Kanalläge | N | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 80nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1V | |
| Maximal effektförlust Pd | 81W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 212A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Kapseltyp TSDSON-8 FL | ||
Serie BSZ | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.7mΩ | ||
Kanalläge N | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 80nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1V | ||
Maximal effektförlust Pd 81W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon OptiMOS 5 effekttransistor är en N-kanal MOSFET som är optimerad för högpresterande buck-omvandlare. Den har överlägsen värmebeständighet.
Halogenfri enligt IEC61249-2-21
Mycket lågt motstånd under drift
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 212 A 40 V N, 8 Ben, TSDSON-8 FL, BSZ
- Infineon N Kanal, MOSFET, 40 A 100 V N, 8 Ben, TSDSON-8 FL, BSZ
- Infineon N Kanal, MOSFET, 104 A 60 V N, 8 Ben, TSDSON, BSZ
- Infineon N Kanal, MOSFET, 123 A 30 V N, 8 Ben, TSDSON, BSZ
- Infineon N Kanal, MOSFET, 40 A 80 V N, 8 Ben, TSDSON, BSZ
- Infineon N Kanal, MOSFET, 158 A 40 V N, 8 Ben, TSDSON, BSZ
- Infineon N Kanal, MOSFET, 223 A 25 V N, 8 Ben, TSDSON, BSZ
- Infineon N Kanal, MOSFET, 186 A 25 V N, 8 Ben, TSDSON, BSZ