Infineon N Kanal, MOSFET, 381 A 40 V N, 8 Ben, SuperSO8 5 x 6, BSC
- RS-artikelnummer:
- 241-9677P
- Tillv. art.nr:
- BSC146N10LS5ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal 50 enheter (levereras på en kontinuerlig remsa)*
490,60 kr
(exkl. moms)
613,25 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 3 330 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 50 - 120 | 9,812 kr |
| 125 - 245 | 9,228 kr |
| 250 - 495 | 8,602 kr |
| 500 + | 7,974 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 241-9677P
- Tillv. art.nr:
- BSC146N10LS5ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 381A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Serie | BSC | |
| Kapseltyp | SuperSO8 5 x 6 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.7mΩ | |
| Kanalläge | N | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal effektförlust Pd | 81W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 80nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 381A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Serie BSC | ||
Kapseltyp SuperSO8 5 x 6 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.7mΩ | ||
Kanalläge N | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal effektförlust Pd 81W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 80nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon OptiMOSTM 5 N-kanalig effekt-MOSFET med logisk nivå har 100 V dräneringskällspänning (VDS) och 44 A dräneringsström (ID). Effekt-MOSFET:erna på logisk nivå är mycket lämpliga för laddning, adapter och telekomtillämpningar. Enhetens låga grindladdning minskar omkopplingsförluster utan att kompromissa med ledningsförluster. MOSFET:er på logisk nivå möjliggör drift vid höga omkopplingsfrekvenser och tack vare en låg grindströskelspänning kan de drivas direkt från mikrokontroller.
Optimerad för högpresterande SMPS, t. ex. synk. rec.
100 % avalanche-testade
Överlägsen värmebeständighet
N-kanal, logiknivå
Blyfri plätering
RoHS-kompatibel
Halogenfri enligt IEC61249-2-21