ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 10.3 A 60 V N, 8 Ben, HUML2020L8, RF4L
- RS-artikelnummer:
- 241-2265
- Tillv. art.nr:
- RF4L070BGTCR
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 10 enheter)*
87,25 kr
(exkl. moms)
109,06 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 25 januari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 8,725 kr | 87,25 kr |
| 50 - 90 | 8,546 kr | 85,46 kr |
| 100 - 240 | 6,787 kr | 67,87 kr |
| 250 - 990 | 6,664 kr | 66,64 kr |
| 1000 + | 5,981 kr | 59,81 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 241-2265
- Tillv. art.nr:
- RF4L070BGTCR
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | ROHM | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 10.3A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Serie | RF4L | |
| Kapseltyp | HUML2020L8 | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 2.7mΩ | |
| Kanalläge | N | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 7.6nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal effektförlust Pd | 81W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke ROHM | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 10.3A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Serie RF4L | ||
Kapseltyp HUML2020L8 | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 2.7mΩ | ||
Kanalläge N | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 7.6nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal effektförlust Pd 81W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
ROHM RF4G100BG är en effekt-MOSFET med låg påslagningsresistans och lämplig för omkoppling.
Låg påslagningsresistans
Hög effekt liten formpaketHUML2020L8
Blyfri plätering RoHS-kompatibel
Halogenfri
Relaterade länkar
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 10.3 A 60 V N, 8 Ben, HUML2020L8, RF4L
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 10.3 A 40 V N, 8 Ben, HUML2020L8, RF4G100BG
- ROHM Typ P, Typ N Kanal, MOSFET, 4 A 30 V, HUML2020L8
- ROHM 2 Typ N Kanal, MOSFET 100 V Förbättring, 8 Ben, HUML2020L8, UT6
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 6 A 100 V Förbättring, 8 Ben, HUML2020L8, RF4P060BG
- ROHM 2 Typ P, Typ N Kanal, MOSFET 100 V Förbättring, 8 Ben, HUML2020L8, UT6
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 10.3 A 0.9 V N, SOT-723, RYM002N05
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 10.3 A 40 V N, TSMT-8, RQ7G080BG