Infineon N Kanal, MOSFET, 4.5 A 800 V, 5 Ben, ThinPAK 5x6, IPL AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 240-8554
- Distrelec artikelnummer:
- 304-24-008
- Tillv. art.nr:
- IPLK80R600P7ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
- RS-artikelnummer:
- 240-8554
- Distrelec artikelnummer:
- 304-24-008
- Tillv. art.nr:
- IPLK80R600P7ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 4.5A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 800V | |
| Serie | IPL | |
| Kapseltyp | ThinPAK 5x6 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 5 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.2mΩ | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 80nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 43W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.9V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 3V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 6.42mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 4.5A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 800V | ||
Serie IPL | ||
Kapseltyp ThinPAK 5x6 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 5 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.2mΩ | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 80nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 43W | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.9V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 3V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 6.42mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Infineons 800V CoolMOS™ P7 super junction MOSFET-serie passar perfekt för strömsnåla SMPS-applikationer genom att fullt ut tillgodose marknadens behov av prestanda, användarvänlighet och pris/prestandaförhållande. Den är främst inriktad på flyback-applikationer, t.ex. adapter och laddare, audio SMPS, AUX och industriell kraft. Den ger upp till 0,6% högre verkningsgrad och 2°C till 8°C lägre MOSFET-temperatur jämfört med sin föregångare samt med konkurrerande komponenter som testats i typiska flyback-applikationer. Den möjliggör också konstruktioner med högre effekttäthet genom lägre switchförluster och bättre DPAK RDS(on)-produkter. Sammantaget hjälper det kunderna att spara BOM-kostnader och minska monteringsarbetet.
Bäst i klassen FOM RDS(on)*Eoss; minskade Qg, Ciss och Coss
Klassens bästa DPAK RDS(on)
Klassens bästa V(GS)th på 3V och minsta V(GS)th-variation på ±0,5V
Integrerat ESD-skydd med Zenerdiod
Fullt optimerad portfölj
Låg EMI
ThinPAK 5x6-paketet har ett mycket litet fotavtryck på 5x6 mm² och en mycket låg profil med en höjd på 1 mm och tillsammans med dess låga parasitiska egenskaper leder dessa egenskaper till betydligt mindre formfaktorer och bidrar till att öka effekttätheten. Denna kombination gör CoolMOS™ P7 i ThinPAK 5x6 till en perfekt lösning för sina målapplikationer.
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 4.5 A 800 V, 5 Ben, ThinPAK 5x6, IPL AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 9.4 A 700 V, 5 Ben, ThinPAK 5x6, IPL AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 4.5 A 800 V, 8 Ben, TO-263, IPL AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 107 A 700 V Förbättring, 5 Ben, ThinPAK 8x8, IPL AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 107 A 650 V Förbättring, 5 Ben, ThinPAK 8x8, IPL AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 29 A 650 V Förbättring, 5 Ben, ThinPAK 8x8, IPL AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 21 A 650 V Förbättring, 5 Ben, ThinPAK 8x8, IPL AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 3 A 600 V Förbättring, 5 Ben, ThinPAK 5x6