Nexperia N Kanal, MOSFET, 10.3 A 30 V, 4 Ben, LFPAK56E
- RS-artikelnummer:
- 240-1977
- Tillv. art.nr:
- PSMN4R8-100YSEX
- Tillverkare / varumärke:
- Nexperia
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 2 enheter)*
70,90 kr
(exkl. moms)
88,62 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- 1 500 enhet(er) levereras från den 17 februari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 48 | 35,45 kr | 70,90 kr |
| 50 - 98 | 30,295 kr | 60,59 kr |
| 100 - 248 | 24,47 kr | 48,94 kr |
| 250 - 498 | 23,91 kr | 47,82 kr |
| 500 + | 21,28 kr | 42,56 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 240-1977
- Tillv. art.nr:
- PSMN4R8-100YSEX
- Tillverkare / varumärke:
- Nexperia
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Nexperia | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 10.3A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Kapseltyp | LFPAK56E | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 13.6mΩ | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal effektförlust Pd | 12.5W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Nexperia | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 10.3A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Kapseltyp LFPAK56E | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 13.6mΩ | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal effektförlust Pd 12.5W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
MOSFET med N-kanalförstärkningsläge från Nexperia finns i ett LFPAK56E-paket.
Helt optimerat Safe Operating Area (SOA) för överlägsen linjär drift
Låg RDSon för låga I2R-ledningsförluster
Relaterade länkar
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 10.3 A 30 V, 4 Ben, LFPAK56E
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 10.3 A 30 V, 4 Ben, LFPAK88
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 10.3 A 30 V, 3 Ben, SOT-23
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 10.3 A 30 V Förbättring, 8 Ben, MLPAK33
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 10.3 A 25 V Förbättring, 8 Ben, MLPAK33
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 120 A 100 V Förbättring, 4 Ben, LFPAK, PSM
- Nexperia Typ P Kanal, MOSFET, 10.3 A 30 V Förbättring, 8 Ben, MLPAK33
- Nexperia, MOSFET, 10.3 A 30 V, TO-247