Vishay N Kanal, MOSFET, 59.5 A 80 V, 8 Ben, PowerPAK SO-8, SiR588DP

RS-artikelnummer:: 239-5394
Tillv. art.nr:: SiR588DP-T1-RE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Vishay N Kanal, MOSFET, 59.5 A 80 V, 8 Ben, PowerPAK SO-8, SiR588DP

Antal (1 förpackning med 10 enheter)*

120,96 kr

(exkl. moms)

151,20 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

I lager

2 850 enhet(er) är redo att levereras

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per förpackning*
10 +	12,096 kr	120,96 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 239-5394
Tillv. art.nr:: SiR588DP-T1-RE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Vishay
	Produkttyp	MOSFET
	Kanaltyp	N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	59.5A
	Maximal källspänning för dränering Vds	80V
	Kapseltyp	PowerPAK SO-8
	Serie	SiR588DP
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	8
	Maximal drain-källresistans Rds	0.008Ω
	Maximal effektförlust Pd	59.5W
	Framåtriktad spänning Vf	1.1V
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	20V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	14.2nC
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Längd	6.15mm
	Bredd	5.15mm
	Standarder/godkännanden	RoHS
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Vishay
	Produkttyp MOSFET
	Kanaltyp N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 59.5A
	Maximal källspänning för dränering Vds 80V
	Kapseltyp PowerPAK SO-8
	Serie SiR588DP
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 8
	Maximal drain-källresistans Rds 0.008Ω
	Maximal effektförlust Pd 59.5W
	Framåtriktad spänning Vf 1.1V
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 14.2nC
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Längd 6.15mm
	Bredd 5.15mm
	Standarder/godkännanden RoHS
	Fordonsstandard Nej

Datasheet - SiR588DP-T1-RE3

SiR588DP-serien MOSFET från Vishay, 80 V maximal drain-källspänning, 59,5 A maximal kontinuerlig drain-ström – SiR588DP-T1-RE3

Denna n-kanal MOSFET är en ytmonterad effekttransistor som är utformad för att koppla om och hantera höga strömmar i kompakta elektroniska monteringar. Den fungerar över ett brett temperaturområde och är lämplig för tillämpningar som kräver robust spänningshantering och effektiv ledning i ett litet paket.

Funktioner och fördelar:

• 80 V dräneringsspänning möjliggör högspänningsomkopplingstillämpningar • Kontinuerlig dräneringsström på 59,5 A stöder drift med hög belastning • 0,008 Ω låg Rds(on) minskar ledningsförluster och uppvärmning • 14,2 nC typisk grindladdning möjliggör snabbare omkopplingsövergångar • 59,5 W effektförlust möjliggör hållbar strömhantering • Maximal drifttemperatur på 150 °C tolererar förhöjda termiska miljöer

Användningsområden

• Lämpligt för motordriftsteg i industriella automationssystem • Idealisk för högströms DC-DC-omvandlare och nätaggregat • Används för omkopplingselement i strömfördelningsmoduler • Kan användas för belastningsomkoppling i HVAC- och styrutrustning • Lämpligt för kompakta SMD-strömförsörjningsenheter där kortutrymmet är begränsat

Vilka grindspänningsbegränsningar måste observeras för säker drift?

Grind-till-källspänningen måste hållas inom ±20 V för att förhindra grindoxidspänning.

Hur påverkar förpackningen värmehanteringen på ett kort?

PowerPAK SO-8 8-stifts ytmonteringspaket koncentrerar den termiska vägen genom substratet, så en bra kopparyta på kretskortet och termiska vägar förbättrar värmeavledningen.

Vilka omgivningsförhållanden definierar enhetens driftsgränser?

Enheten är specifik för användning ned till -55 °C och upp till 150 °C kopplingstemperatur för miljöer med höga temperaturer.

Hur relaterar enhetens framspänning till ledningsbeteendet?

Framspänningen på 1,1 V indikerar det förväntade diodledningsfallet när den inneboende kroppsdioden leder under omvänd återhämtning eller hårda kommutationshändelser.