Vishay N Kanal, MOSFET, 59.5 A 80 V, 8 Ben, PowerPAK SO-8, SiR588DP

RS-artikelnummer:: 239-5394
Tillv. art.nr:: SiR588DP-T1-RE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Vishay N Kanal, MOSFET, 59.5 A 80 V, 8 Ben, PowerPAK SO-8, SiR588DP

Antal (1 förpackning med 10 enheter)*

120,96 kr

(exkl. moms)

151,20 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

I lager

2 850 enhet(er) är redo att levereras

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per förpackning*
10 +	12,096 kr	120,96 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 239-5394
Tillv. art.nr:: SiR588DP-T1-RE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Vishay
	Produkttyp	MOSFET
	Kanaltyp	N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	59.5A
	Maximal källspänning för dränering Vds	80V
	Kapseltyp	PowerPAK SO-8
	Serie	SiR588DP
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	8
	Maximal drain-källresistans Rds	0.008Ω
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	20V
	Maximal effektförlust Pd	59.5W
	Framåtriktad spänning Vf	1.1V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	14.2nC
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Bredd	5.15mm
	Standarder/godkännanden	RoHS
	Längd	6.15mm
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Vishay
	Produkttyp MOSFET
	Kanaltyp N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 59.5A
	Maximal källspänning för dränering Vds 80V
	Kapseltyp PowerPAK SO-8
	Serie SiR588DP
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 8
	Maximal drain-källresistans Rds 0.008Ω
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V
	Maximal effektförlust Pd 59.5W
	Framåtriktad spänning Vf 1.1V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 14.2nC
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Bredd 5.15mm
	Standarder/godkännanden RoHS
	Längd 6.15mm
	Fordonsstandard Nej

Datasheet - SiR588DP-T1-RE3

SiR588DP-serien MOSFET från Vishay, 80 V drain-källspänning, 59,5 A kontinuerlig drain-ström – SiR588DP-T1-RE3

Denna n-kanals effekt-MOSFET är utformad för högströmsomkoppling i ytmonterad kraftelektronik. Den fungerar i ett brett temperaturområde och passar krävande termiska miljöer samtidigt som den ger låga ledningsförluster och effektiv grindstyrning för snabba omkopplingstillämpningar.

Funktioner och fördelar:

• Mycket låg påslagningsresistans minskar ledningsförluster och värme
• Hög kontinuerlig dräneringsström med stöd för omkoppling vid kraftig belastning
• 80 V drain-source-klassning möjliggör medelspänningsdesigner
• Måttlig grindladdning möjliggör effektiv omkopplingskontroll
• Väsentlig effektförlustkapacitet förbättrar den termiska marginalen

Användningsområden

• Lämplig för DC/DC-omvandlare inom strömhantering
• Idealisk för motorstyrda växelriktarsteg
• Används med nätaggregat för server- och telekomutrustning
• Kan användas för batterihantering och laddningssystem

Vilken typ av förpackning använder den och varför är det viktigt?

Den levereras i ett PowerPAK SO-8-paket som erbjuder ett kompakt ytmonterat fotavtryck och förbättrad termisk kontakt för värmeavledning på tätt befolkade kort.

Hur fungerar enheten i extrema temperaturer?

Den är klassad för drift från -55 °C upp till 150 °C, vilket möjliggör användning i både kalla startförhållanden och högtemperaturinkapslingar samtidigt som den upprätthåller specificerad elektrisk prestanda.

Vilka begränsningar för gate-drivning bör observeras?

Den maximala gate-källspänningen är 20 V, så gate-drivkretsar måste begränsas till detta värde för att förhindra överbelastning av grinden.

Vilka elektriska egenskaper påverkar kopplingseffektiviteten?

Lågt drain-source-motstånd tillsammans med en typisk grindladdning på 14,2 nC bestämmer ledningsförluster och omkopplingsenergi, vilket påverkar systemets övergripande effektivitet.