Vishay N Kanal, MOSFET, 20 A 850 V, TO-247AC, SIH

Se alla MOSFET-transistor

Antal (2 enheter, i en förpackning med 2)*

37,53 kr

(exkl. moms)

46,91 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Sista RS lager
  • Slutlig(a) 478 enhet(er), redo att levereras
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
2 +18,765 kr37,53 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
239-5377
Tillv. art.nr:
SIHG24N80AEF-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

20A

Maximal källspänning för dränering Vds

850V

Kapseltyp

TO-247AC

Serie

SIH

Typ av fäste

Genomgående hål

Maximal drain-källresistans Rds

0.17Ω

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

30V

Maximal effektförlust Pd

208W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

60nC

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Fordonsstandard

Nej

Effekt-MOSFET i Vishay EF-serien har en dräneringsström på 20 A. Den används för server- och telekomströmförsörjning, switchade nätaggregat (SMPS), strömförsörjning för effektfaktorkorrigering (PFC)

Låg meritvärdesberäkning (FOM) Ron x Qg

Låg effektiv kapacitans (Co(er))

Minskade kopplings- och ledningsförluster

Avalanche Energy Rating (UIS)

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.