Infineon N Kanal, MOSFET, 50 A 700 V N, 3 Ben, TO-263, CoolMOS
- RS-artikelnummer:
- 236-3650
- Tillv. art.nr:
- IPB65R041CFD7ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 rulle med 1000 enheter)*
44 638,00 kr
(exkl. moms)
55 798,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 07 januari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 1000 + | 44,638 kr | 44 638,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 236-3650
- Tillv. art.nr:
- IPB65R041CFD7ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 50A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 700V | |
| Serie | CoolMOS | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 41mΩ | |
| Kanalläge | N | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 50A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 700V | ||
Serie CoolMOS | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 41mΩ | ||
Kanalläge N | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon CoolMOS Super Junction MOSFET med integrerad snabb kroppsdiod är det perfekta valet för resonanstopologier med hög effekt. Den är idealiskt lämpad för industriella tillämpningar, t.ex. server-, telekom-, solenergi- och EV-laddstationer, där den möjliggör betydande effektivitetsförbättringar jämfört med konkurrenterna. Den har en dräneringsström på 50 A.
Utmärkt robusthet vid hård kommutation
Extra säkerhetsmarginal för konstruktioner med ökad busspänning
Möjliggör ökad effekttäthet
Enastående lätt belastningseffektivitet i industriella SMPS-tillämpningar
Förbättrad effektivitet vid full belastning i industriella SMPS-tillämpningar
Priskonkurrenskraft jämfört med alternativa erbjudanden på marknaden
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 50 A 700 V N, 3 Ben, TO-263, CoolMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 22 A 700 V N, 3 Ben, TO-263, CoolMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 19 A 700 V N, 3 Ben, TO-263, CoolMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 15 A 700 V N, 3 Ben, TO-263, CoolMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 25 A 700 V P, 3 Ben, TO-263, CoolMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 145 A 700 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, CoolMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 22.4 A 700 V N, TO-263, iPB
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 8.5 A 700 V N, 3 Ben, TO-220, CoolMOS