Toshiba Typ N Kanal, MOSFET, 168 A 75 V, 8 Ben, SOP
- RS-artikelnummer:
- 236-3629
- Tillv. art.nr:
- TPH2R608NH,L1Q(M
- Tillverkare / varumärke:
- Toshiba
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
133,06 kr
(exkl. moms)
166,325 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 5 000 enhet(er) från den 17 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 26,612 kr | 133,06 kr |
| 50 - 495 | 23,296 kr | 116,48 kr |
| 500 - 995 | 20,698 kr | 103,49 kr |
| 1000 - 2495 | 18,592 kr | 92,96 kr |
| 2500 + | 18,234 kr | 91,17 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 236-3629
- Tillv. art.nr:
- TPH2R608NH,L1Q(M
- Tillverkare / varumärke:
- Toshiba
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Toshiba | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 168A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 75V | |
| Kapseltyp | SOP | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 2.6mΩ | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | -1.2V | |
| Maximal effektförlust Pd | 2.5W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 72nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 6mm | |
| Höjd | 0.95mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Toshiba | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 168A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 75V | ||
Kapseltyp SOP | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 2.6mΩ | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf -1.2V | ||
Maximal effektförlust Pd 2.5W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 72nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 6mm | ||
Höjd 0.95mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Toshiba MOSFET är tillverkad av silikonmaterial och har N-kanal MOS-typ. Den används huvudsakligen i tillämpningar med högeffektiva DC-DC-omvandlare och omkopplingsspänningsregulatorer.
Höghastighetsomkoppling
Relaterade länkar
- Toshiba Typ N Kanal, MOSFET, 168 A 75 V, 8 Ben, SOP
- Toshiba Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SOP, TPH1R306PL
- Toshiba Typ N Kanal, MOSFET, 150 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SOP, TPHR8504PL
- Toshiba Typ N Kanal, MOSFET, 340 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SOP
- Toshiba Typ N Kanal, MOSFET, 93 A 100 V Förbättring, 8 Ben, SOP
- Toshiba Typ N Kanal, MOSFET, 92 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SOP
- Toshiba Typ N Kanal, MOSFET, 65 A 60 V Förbättring, 8 Ben, TSON
- Toshiba Typ N Kanal, MOSFET, 82 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SOP