ROHM N Kanal, MOSFET, 10 A 1.2 kV Förbättring, 3 Ben, TO-247N
- RS-artikelnummer:
- 235-2804
- Tillv. art.nr:
- SCT2450KEHRC11
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
För närvarande inte tillgänglig
Tyvärr, vi vet inte när detta kommer att finnas i lager igen.
- RS-artikelnummer:
- 235-2804
- Tillv. art.nr:
- SCT2450KEHRC11
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | ROHM | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström (Id) | 10 A | |
| Maximal källspänning för dränering (Vds) | 1.2 kV | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Antal ben | 3 | |
| Kapseltyp | TO-247N | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Framåtriktad spänning (Vf) | 4.3 V | |
| Maximal drain-källresistans (Rds) | 450 mΩ | |
| Maximal spänning för grindkälla (Vgs) | 22 V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150 °C | |
| Maximal effektförlust (Pd) | 85 W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55 °C | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Typisk grindladdning (Qg) @ Vgs | 27 nC | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke ROHM | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström (Id) 10 A | ||
Maximal källspänning för dränering (Vds) 1.2 kV | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Antal ben 3 | ||
Kapseltyp TO-247N | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Framåtriktad spänning (Vf) 4.3 V | ||
Maximal drain-källresistans (Rds) 450 mΩ | ||
Maximal spänning för grindkälla (Vgs) 22 V | ||
Maximal arbetstemperatur 150 °C | ||
Maximal effektförlust (Pd) 85 W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55 °C | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Typisk grindladdning (Qg) @ Vgs 27 nC | ||
The ROHM SCT series N-channel SiC power MOSFET suitable for solar inverters, DC/DC converters, induction heating and motor drives. It has low on state resistance and fast switching speed.
Fast reverse recovery
Easy to parallel
Simple to drive
Pb-free lead plating
RoHS compliant
Relaterade länkar
- ROHM N Kanal, MOSFET, 10 A 1200 V Förbättring, 3 Ben, TO-247N
- ROHM N Kanal, MOSFET, 14 A 1200 V Förbättring, 3 Ben, TO-247N
- ROHM N Kanal, MOSFET, 22 A 1200 V Förbättring, 3 Ben, TO-247N
- ROHM N Kanal, MOSFET, 21 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247N
- ROHM, IGBT, N Kanal, 80 A 1200 V 1 MHz, 3 Ben, TO-247N Genomgående hål
- ROHM, IGBT, N Kanal, 50 A 1200 V 1 MHz, 3 Ben, TO-247N Genomgående hål
- ROHM, IGBT, N Kanal, 30 A 1200 V 1 MHz, 3 Ben, TO-247N Genomgående hål
- DiodesZetex MOSFET med förstärkning av N-kanaler N Kanal, MOSFET, 44.5 A 1200 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, DMW