ROHM N Kanal, MOSFET, 22 A 1.2 kV Förbättring, 3 Ben, TO-247N

Se alla MOSFET-transistor
För närvarande inte tillgänglig
Tyvärr, vi vet inte när detta kommer att finnas i lager igen.
RS-artikelnummer:
235-2794
Tillv. art.nr:
SCT2160KEGC11
Tillverkare / varumärke:
ROHM
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

ROHM

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström (Id)

22 A

Maximal källspänning för dränering (Vds)

1.2 kV

Kanalläge

Förbättring

Antal ben

3

Kapseltyp

TO-247N

Fordonsstandard

Nej

Framåtriktad spänning (Vf)

1.2 V

Maximal drain-källresistans (Rds)

160 mΩ

Maximal spänning för grindkälla (Vgs)

22 V

Maximal arbetstemperatur

150 °C

Maximal effektförlust (Pd)

165 W

Minsta arbetsstemperatur

-55 °C

Typ av fäste

Genomgående hål

Standarder/godkännanden

No

Typisk grindladdning (Qg) @ Vgs

62 nC

The ROHM SCT series N-channel SiC power MOSFET suitable for solar inverters, DC/DC converters, induction heating and motor drives. It has low on state resistance and fast switching speed.

Fast reverse recovery

Easy to parallel

Simple to drive

Pb-free lead plating

RoHS compliant

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.