Renesas Electronics N Kanal, MOSFET, 40 A 60 V Förbättring, 4 Ben, SOT-669
- RS-artikelnummer:
- 234-7157
- Tillv. art.nr:
- RJK0656DPB-00#J5
- Tillverkare / varumärke:
- Renesas Electronics
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer att finnas i lager igen, den har utgått från tillverkaren.
- RS-artikelnummer:
- 234-7157
- Tillv. art.nr:
- RJK0656DPB-00#J5
- Tillverkare / varumärke:
- Renesas Electronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Renesas Electronics | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 40A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | SOT-669 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 5.6mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 15nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 45W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Renesas Electronics | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 40A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp SOT-669 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 5.6mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 15nC | ||
Maximal effektförlust Pd 45W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Renesas Electronics N-kanals MOSFET med enkel effekt är lämplig för omkopplings- och belastningsswitchar. Den har en hög brytspänning på 60 V. Den kan driva 4,5 V-gate.
Höghastighetsomkoppling
Låg driftsström
Montering med hög densitet
Låg på-resistans
Blyfria
Halogenfri
Relaterade länkar
- Renesas Electronics N Kanal, MOSFET, 40 A 60 V Förbättring, 4 Ben, SOT-669
- Renesas Electronics N Kanal, MOSFET, 25 A 60 V Förbättring, 4 Ben, SOT-669
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 46 A 40 V Förbättring, 4 Ben, SOT-669
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 100 A 25 V Förbättring, 4 Ben, SOT-669
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 44 A 30 V Förbättring, 4 Ben, SOT-669
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 44 A 60 V Förbättring, 4 Ben, SOT-669
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 37 A 30 V Förbättring, 4 Ben, SOT-669
- Nexperia N Kanal, MOSFET, 100 A 30 V Förbättring, 4 Ben, SOT-669