Renesas Electronics Typ N Kanal, MOSFET, 40 A 60 V Förbättring, 4 Ben, SOT-669
- RS-artikelnummer:
- 234-7157
- Tillv. art.nr:
- RJK0656DPB-00#J5
- Tillverkare / varumärke:
- Renesas Electronics
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
123,54 kr
(exkl. moms)
154,425 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 19 januari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 24,708 kr | 123,54 kr |
| 50 - 95 | 21,236 kr | 106,18 kr |
| 100 - 245 | 18,054 kr | 90,27 kr |
| 250 - 995 | 17,628 kr | 88,14 kr |
| 1000 + | 15,478 kr | 77,39 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 234-7157
- Tillv. art.nr:
- RJK0656DPB-00#J5
- Tillverkare / varumärke:
- Renesas Electronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Renesas Electronics | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 40A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | SOT-669 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 5.6mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 45W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 15nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Renesas Electronics | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 40A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp SOT-669 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 5.6mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 45W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 15nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Renesas Electronics N-kanals MOSFET med enkel effekt är lämplig för omkopplings- och belastningsswitchar. Den har en hög brytspänning på 60 V. Den kan driva 4,5 V-gate.
Höghastighetsomkoppling
Låg driftsström
Montering med hög densitet
Låg på-resistans
Blyfria
Halogenfri
Relaterade länkar
- Renesas Electronics Typ N Kanal, MOSFET, 40 A 60 V Förbättring, 4 Ben, SOT-669
- Renesas Electronics Typ N Kanal, MOSFET, 25 A 60 V Förbättring, 4 Ben, SOT-669
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 30 V Förbättring, 4 Ben, SOT-669
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 89 A 60 V Förbättring, 4 Ben, SOT-669
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 82 A 80 V Förbättring, 4 Ben, SOT-669
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 40 V Förbättring, 4 Ben, SOT-669
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 91 A 30 V Förbättring, 4 Ben, SOT-669
- Nexperia Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 60 V Förbättring, 4 Ben, SOT-669