Infineon N Kanal, MOSFET, 121 A 40 V, 8 Ben, TDSON-8 FL, ISC
- RS-artikelnummer:
- 234-7000
- Tillv. art.nr:
- ISC028N04NM5ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
81,98 kr
(exkl. moms)
102,48 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 4 895 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 16,396 kr | 81,98 kr |
| 50 - 120 | 14,762 kr | 73,81 kr |
| 125 - 245 | 13,754 kr | 68,77 kr |
| 250 - 495 | 12,768 kr | 63,84 kr |
| 500 + | 11,782 kr | 58,91 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 234-7000
- Tillv. art.nr:
- ISC028N04NM5ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 121A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Kapseltyp | TDSON-8 FL | |
| Serie | ISC | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 2.8mΩ | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 38nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 75W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Bredd | 1.1mm | |
| Höjd | 4.4mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 3.8mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 121A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Kapseltyp TDSON-8 FL | ||
Serie ISC | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 2.8mΩ | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 38nC | ||
Maximal effektförlust Pd 75W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Bredd 1.1mm | ||
Höjd 4.4mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 3.8mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon OptiMOS 5 effekttransistor N-kanal MOSFET har 40 V avloppsspänning och 121 A kontinuerlig avloppsström. Denna produkt erbjuder en benchmark-lösning för tillämpningar som kräver normal nivå (högre tröskelspänning) drivförmåga. Den höga Vth i portföljen för normal nivå ger immunitet mot felaktig påsättning på grund av bullriga miljöer. Dessutom minskar lägre QGD/QGS-förhållanden toppen för grindspänningsspikarna, vilket ytterligare bidrar till robustheten mot oönskad påsättning.
Batteridriven tillämpning
LVV-motordrivrutiner
Mycket lågt motstånd på RDS(on)
100 % avalanche-testade
175 °C samlingstemperatur
Överlägsen värmebeständighet
Låg grindladdning
Minskade omkopplingsförluster
Lämplig för drift vid högre frekvenser
N-kanal
Blyfri plätering
RoHS-kompatibel
Halogenfri enligt IEC61249-2-21
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 121 A 40 V, 8 Ben, TDSON-8 FL, ISC
- Infineon N Kanal, MOSFET, 98 A 40 V, 8 Ben, TDSON-8 FL, ISC
- Infineon N Kanal, MOSFET, 77 A 40 V, 8 Ben, TDSON-8 FL, ISC
- Infineon N Kanal, MOSFET, 63 A 40 V, 8 Ben, TDSON-8 FL, ISC
- Infineon N Kanal, MOSFET, 170 A 40 V, 8 Ben, TDSON-8 FL, ISC
- Infineon N Kanal, MOSFET, 193 A 40 V, 8 Ben, TDSON-8 FL, ISC
- Infineon N Kanal, Effekttransistor, 170 A 120 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8 FL, ISC
- Infineon N Kanal, Effekttransistor, 74 A 200 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8 FL, ISC