Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 193 A 40 V, 8 Ben, TDSON-8 FL, ISC
- RS-artikelnummer:
- 234-6994
- Tillv. art.nr:
- ISC017N04NM5ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 rulle med 5000 enheter)*
24 355,00 kr
(exkl. moms)
30 445,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 5 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 5000 + | 4,871 kr | 24 355,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 234-6994
- Tillv. art.nr:
- ISC017N04NM5ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 193A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Kapseltyp | TDSON-8 FL | |
| Serie | ISC | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.7mΩ | |
| Maximal effektförlust Pd | 115W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 67nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 4.4mm | |
| Höjd | 3.8mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 193A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Kapseltyp TDSON-8 FL | ||
Serie ISC | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.7mΩ | ||
Maximal effektförlust Pd 115W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 67nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 4.4mm | ||
Höjd 3.8mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon OptiMOS 5 effekttransistor N-kanal MOSFET har 40 V avloppsspänning och 193 A kontinuerlig avloppsström. Denna produkt erbjuder en benchmark-lösning för tillämpningar som kräver normal nivå (högre tröskelspänning) drivförmåga. Den höga Vth i portföljen för normal nivå ger immunitet mot felaktig påsättning på grund av bullriga miljöer. Dessutom minskar lägre QGD/QGS-förhållanden toppen för grindspänningsspikarna, vilket ytterligare bidrar till robustheten mot oönskad påsättning.
Batteridriven tillämpning
LVV-motordrivrutiner
Mycket lågt motstånd på RDS(on)
100 % avalanche-testade
175 °C samlingstemperatur
Överlägsen värmebeständighet
Låg grindladdning
Minskade omkopplingsförluster
Lämplig för drift vid högre frekvenser
N-kanal
Blyfri plätering
RoHS-kompatibel
Halogenfri enligt IEC61249-2-21
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 193 A 40 V, 8 Ben, TDSON-8 FL, ISC
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 121 A 40 V, 8 Ben, TDSON-8 FL, ISC
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 98 A 40 V, 8 Ben, TDSON-8 FL, ISC
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 77 A 40 V, 8 Ben, TDSON-8 FL, ISC
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 63 A 40 V, 8 Ben, TDSON-8 FL, ISC
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 170 A 40 V, 8 Ben, TDSON-8 FL, ISC
- Infineon Typ N Kanal, Effekttransistor, 74 A 200 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8 FL, ISC
- Infineon Typ N Kanal, Effekttransistor, 170 A 120 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8 FL, ISC