Infineon N Kanal, MOSFET, 288 A 60 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, ISC

RS-artikelnummer:: 233-4396
Tillv. art.nr:: ISZ034N06LM5ATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon N Kanal, MOSFET, 288 A 60 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, ISC

Antal (1 rulle med 5000 enheter)*

45 225,00 kr

(exkl. moms)

56 530,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

Tillfälligt slut

Leverans från den 06 oktober 2027

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rulle*
5000 +	9,045 kr	45 225,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 233-4396
Tillv. art.nr:: ISZ034N06LM5ATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Produkttyp	MOSFET
	Kanaltyp	N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	288A
	Maximal källspänning för dränering Vds	60V
	Serie	ISC
	Kapseltyp	TDSON
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	8
	Maximal drain-källresistans Rds	3.4mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Maximal effektförlust Pd	83W
	Framåtriktad spänning Vf	1V
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	20V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	53nC
	Maximal arbetstemperatur	175°C
	Standarder/godkännanden	No
	Bredd	1.1mm
	Höjd	3.4mm
	Längd	3.4mm
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Produkttyp MOSFET
	Kanaltyp N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 288A
	Maximal källspänning för dränering Vds 60V
	Serie ISC
	Kapseltyp TDSON
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 8
	Maximal drain-källresistans Rds 3.4mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Maximal effektförlust Pd 83W
	Framåtriktad spänning Vf 1V
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 53nC
	Maximal arbetstemperatur 175°C
	Standarder/godkännanden No
	Bredd 1.1mm
	Höjd 3.4mm
	Längd 3.4mm
	Fordonsstandard Nej

Datasheet - ISZ034N06LM5ATMA1

Infineon ISC-serien MOSFET, 60 V maximal drain-källspänning, 288 A maximal kontinuerlig drain-ström – ISZ034N06LM5ATMA1

Denna MOSFET är en ytmonterad N-kanalförstärkningsenhet som är utformad för högströmsomkoppling i kompakta strömförsörjningsenheter. Den fungerar i ett brett omgivningstemperaturområde och är lämplig för tillämpningar som kräver låga ledningsförluster och snabb grindstyrd omkoppling, samtidigt som den är inrymd i ett litet TDSON-paket.

Funktioner och fördelar:

• Maximal kontinuerlig dräneringsström 288 A för hantering av kraftig ström
• Lågt drain-source-motstånd 3.4 mΩ för att minska ledningsförluster
• 60 V drain-source-klassning för medelspänningseffektsteg
• Typisk grindladdning 53 nC möjliggör effektiva omkopplingsövergångar
• Maximal effektförlust på 83 W för att klara förhöjda belastningsförhållanden
• Gate-source-tålighet 20 V för robusta gate-drivmarginaler

Användningsområden

• Lämplig för högströmsmotordrivningsstegen
• Används med synkrona buck-omvandlare i nätaggregat
• Idealisk för DC-strömfördelning och lastväxling
• Kan användas för batterihantering och cellbalansering
• Lämplig för kompakta ytmonterade strömförsörjningsenheter

Vad möjliggör drift i extrema temperaturområden?

Den interna halvledarstrukturen och testade klassificeringarna möjliggör användning från -55 °C upp till 175 °C.

Hur stöder förpackningen värmehantering?

TDSON-kapseln för ytmontering ger en termisk bana med låg profil för värmeavledning i kretskortslayouter.

Vilka grinddrivaröverväganden krävs för omkopplingsprestanda?

Drivkretsar bör kunna hantera upp till 20 V gate-source-exkursion och hantera en typisk gate-laddning på 53 nC för önskad växlingshastighet.

Hur bör konstruktörer ta hänsyn till ledningsförluster vid hög ström?

Använd Rds(on)-värdet på 3.4 mΩ för att beräkna I2R-förluster och verifiera koppar och termiska ledningar för kretskort för att hantera den resulterande värmen.

Vilken toppströmsförmåga anges för kontinuerlig drift?

Enheten är specificerad med en maximal effektförlust på 83 W för kontinuerliga termiska designöverväganden.