Infineon N Kanal, MOSFET, 37 A 100 V, 8 Ben, SO-8, OptiMOS 5

Se alla MOSFET-transistor
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
RS-artikelnummer:
232-6759
Tillv. art.nr:
ISC0803NLSATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

37A

Maximal källspänning för dränering Vds

100V

Serie

OptiMOS 5

Kapseltyp

SO-8

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

21.9mΩ

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

15nC

Maximal effektförlust Pd

43W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Längd

6.1mm

Standarder/godkännanden

No

Bredd

1.2mm

Höjd

5.35mm

Fordonsstandard

Nej

Infineons OptiMOS PD-effekt-MOSFET 100 V är utformad för USB-PD- och adaptertillämpningar. SuperSO8-kapseln erbjuder snabb ramp-up och optimerade ledtider. OptiMOS-lågspännings-MOSFET-transistorer för strömförsörjning möjliggör konstruktioner med färre delar som leder till minskade BOM-kostnader. OptiMOS PD har kvalitetsprodukter i kompakta, lätta förpackningar.

Tillgänglighet på logisk nivå

Utmärkt termiskt beteende

100 % avalanche-testade

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.