Infineon N Kanal, MOSFET, 106 A 650 V, 3 Ben, TO-247, CoolMOS AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 232-3049
- Tillv. art.nr:
- IPW65R018CFD7XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
192,98 kr
(exkl. moms)
241,22 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 236 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 1 | 192,98 kr |
| 2 - 4 | 183,46 kr |
| 5 - 9 | 175,62 kr |
| 10 - 24 | 168,00 kr |
| 25 + | 156,35 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 232-3049
- Tillv. art.nr:
- IPW65R018CFD7XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 106A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Serie | CoolMOS | |
| Kapseltyp | TO-247 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 18mΩ | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.9V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal effektförlust Pd | 500W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 234nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 16.13mm | |
| Bredd | 5.21mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 21.1mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 106A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Serie CoolMOS | ||
Kapseltyp TO-247 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 18mΩ | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.9V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal effektförlust Pd 500W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 234nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 16.13mm | ||
Bredd 5.21mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 21.1mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Infineon CFD7 är en superkorsnings-MOSFET med integrerad snabb kroppsdiod i TO-247-kapsel är det perfekta valet för resonanta topologier med hög effekt. CoolMOS CFD7-tekniken uppfyller de högsta standarderna för effektivitet och tillförlitlighet och stöder ytterligare lösningar med hög effekttäthet.
Ultrasnabb kroppsdiod och mycket låg Qrr
650 V brytspänning
Avsevärt minskade omkopplingsförluster jämfört med konkurrenterna
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 106 A 650 V, 3 Ben, TO-247, CoolMOS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 20.7 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS C3 AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 106 A 700 V, 4 Ben, TO-247-4, CoolMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 14 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 77.5 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 111 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 47 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS C3
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 26 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS P7