Infineon N Kanal, MOSFET, 77.5 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS
- RS-artikelnummer:
- 222-4721
- Tillv. art.nr:
- IPW60R041P6FKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
111,66 kr
(exkl. moms)
139,58 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 208 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 111,66 kr |
| 10 - 24 | 106,06 kr |
| 25 - 49 | 101,58 kr |
| 50 - 99 | 97,33 kr |
| 100 + | 90,50 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 222-4721
- Tillv. art.nr:
- IPW60R041P6FKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 77.5A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Serie | CoolMOS | |
| Kapseltyp | TO-247 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 41mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 170nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 481W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.9V | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 16.13mm | |
| Höjd | 5.21mm | |
| Bredd | 21.1mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 77.5A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Serie CoolMOS | ||
Kapseltyp TO-247 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 41mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 170nC | ||
Maximal effektförlust Pd 481W | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.9V | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 16.13mm | ||
Höjd 5.21mm | ||
Bredd 21.1mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons design av Cool MOS är en revolutionerande teknik för högspänningseffekts-MOSFET, utformad enligt super junction (SJ)-principen och banbrytande av Infineon Technologies. 600 V Cool MOSTM C7-serien kombinerar erfarenheten från den ledande SJ MOSFET-leverantören med innovation i högklass. 600 V C7 är den första tekniken någonsin med RDS(on)*A under 1 Ohm*mm2.
Blyfri plätering; RoHS-kompatibel
Överlägsen värmebeständighet 100 % avalanche-testad
Halogenfri enligt IEC61249-2-23
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 77.5 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 14 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 111 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 47 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS C3
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 26 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 25 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS CP
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 34 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS C3
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 20 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS C6