onsemi Isolerad N Kanal, SiC-effektmodul, 304 A 1200 V, 36 Ben, F2

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 enhet)*

2 933,84 kr

(exkl. moms)

3 667,30 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 30 enhet(er) från den 14 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
1 +2 933,84 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
229-6510
Tillv. art.nr:
NXH006P120MNF2PTG
Tillverkare / varumärke:
onsemi
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

onsemi

Kanaltyp

N

Produkttyp

SiC-effektmodul

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

304A

Maximal källspänning för dränering Vds

1200V

Kapseltyp

F2

Typ av fäste

Chassi

Antal ben

36

Maximal spänning för grindkälla Vgs

25V

Framåtriktad spänning Vf

6V

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

847nC

Maximal effektförlust Pd

950W

Maximal arbetstemperatur

175°C

Transistorkonfiguration

Isolerad

Längd

63.3mm

Höjd

17mm

Bredd

57mm

Standarder/godkännanden

Halide Free, Pb-Free, RoHS

Fordonsstandard

Nej

Effektmodulen från ON Semiconductor innehåller en 1200 V SiC MOSFET-halvbrygga och en termistor i en F2-kapsel. Den används vanligtvis i solcellsväxelriktare, UPS, laddstationer för elfordon och industriell kraft.

Alternativ med förtillverkad termisk gränssnittsmaterial

Alternativ med lödbara stift och press-fit-stift

Blyfri

RoHS-kompatibel

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.