Infineon N Kanal, MOSFET, 18.5 A 80 V, 3 Ben, TO-220, IPP055N08NF2S
- RS-artikelnummer:
- 228-6551
- Tillv. art.nr:
- IPP055N08NF2SAKMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
139,10 kr
(exkl. moms)
173,90 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 425 enhet(er) från den 07 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 27,82 kr | 139,10 kr |
| 50 - 120 | 25,044 kr | 125,22 kr |
| 125 - 245 | 23,364 kr | 116,82 kr |
| 250 - 495 | 21,952 kr | 109,76 kr |
| 500 + | 20,34 kr | 101,70 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 228-6551
- Tillv. art.nr:
- IPP055N08NF2SAKMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 18.5A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 80V | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Serie | IPP055N08NF2S | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 5.5mΩ | |
| Maximal effektförlust Pd | 107W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 36nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 10.36mm | |
| Bredd | 4.57mm | |
| Höjd | 9.45mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 18.5A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 80V | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Serie IPP055N08NF2S | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 5.5mΩ | ||
Maximal effektförlust Pd 107W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 36nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 10.36mm | ||
Bredd 4.57mm | ||
Höjd 9.45mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon IPP055N08NF2S är en N-kanals effekt-MOSFET. Drain source-spänningen för denna mosfet är 80 V. Den stöder ett brett utbud av applikationer och standardpinouttag möjliggör drop-in-byte. Denna mosfet har ökad strömförande kapacitet.
Optimerad för ett brett spektrum av tillämpningar
N-kanal, normal nivå
100 % avalanche-testade
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 18.5 A 80 V, 3 Ben, TO-220, IPP055N08NF2S
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 18.5 A 550 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS CE
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 80 A 100 V, TO-220, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 80 A 60 V, TO-220, IPP
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 80 A 80 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS 5
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 80 A 80 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS 3
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 35 A 80 V, 3 Ben, TO-220, IPP016N08NF2S
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 28 A 80 V, 3 Ben, TO-220, IPP024N08NF2S