Infineon N Kanal, MOSFET, 350 A 100 V Förbättring, 16 Ben, HDSOP, IAUS300N10S5N015T AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 228-6531
- Tillv. art.nr:
- IAUS300N10S5N015TATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 2 enheter)*
163,41 kr
(exkl. moms)
204,262 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 1 516 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 81,705 kr | 163,41 kr |
| 10 - 18 | 71,905 kr | 143,81 kr |
| 20 - 48 | 66,975 kr | 133,95 kr |
| 50 - 98 | 62,16 kr | 124,32 kr |
| 100 + | 58,07 kr | 116,14 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 228-6531
- Tillv. art.nr:
- IAUS300N10S5N015TATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 350A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Serie | IAUS300N10S5N015T | |
| Kapseltyp | HDSOP | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 16 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.5mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Maximal effektförlust Pd | 375W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | +175°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 350A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Serie IAUS300N10S5N015T | ||
Kapseltyp HDSOP | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 16 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.5mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Maximal effektförlust Pd 375W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur +175°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Infineon IAUS300N10S5N015T-serien MOSFET, 100 V drain source-spänning, 350 A kontinuerlig drain-ström – IAUS300N10S5N015TATMA1
Denna MOSFET är en switchande transistor med hög strömstyrka som är utformad för krävande fordons- och krafttillämpningar och ger kontrollerad ledning i N-kanalsförstärkningsläge över ett brett temperaturområde. Den levereras i ett 16-stifts ytmonterat HDSOP-paket som är lämpligt för kompakta kretsar och uppfyller kriterierna för fordonsbelastning för användning i fordonselektronik.
Funktioner och fördelar:
• 100 V avtappningsklassning möjliggör högspänningsomkopplingsförmåga
• 350 A kontinuerlig dräneringsström stöder höga strömbelastningar
• Låg Rds(on) på 1.5 mΩ minskar ledningsförlusterna
• 375 W effektförlust möjliggör kontinuerlig termisk belastning
• ±20 V gränstolerans möjliggör robusta drivspänningsmarginaler
• Driftområde −55 °C till +175 °C för extrema miljöer
• 350 A kontinuerlig dräneringsström stöder höga strömbelastningar
• Låg Rds(on) på 1.5 mΩ minskar ledningsförlusterna
• 375 W effektförlust möjliggör kontinuerlig termisk belastning
• ±20 V gränstolerans möjliggör robusta drivspänningsmarginaler
• Driftområde −55 °C till +175 °C för extrema miljöer
Användningsområden
• Lämplig för traktorväxelriktare i fordonsindustrin
• Idealisk för högströmsmotorstyrningsmoduler
• Används med batterihantering och strömfördelning
• Kan användas för DC/DC-omvandlare i fordon
• Lämplig för elektriska drivkretsar
• Idealisk för högströmsmotorstyrningsmoduler
• Används med batterihantering och strömfördelning
• Kan användas för DC/DC-omvandlare i fordon
• Lämplig för elektriska drivkretsar
Vilka förpackningsaspekter påverkar kretskortslayouten?
HDSOP-paketet för ytmontering kräver termiska kopparhöljen och flera kretskortsvägar för att hantera värme från hög effektförlust.
Hur hanterar enheten transientgatexkursioner?
Gate-toleransen på ±20 V definierar den maximala tillåtna gate-to-source-spänningen för skydd mot transient överspänning.
Vilken termisk miljö stöds under kontinuerlig drift?
Kontinuerlig drift specificeras över ett temperaturområde från -55 °C till +175 °C för att rymma både kalla starter och förhöjda underhustemperaturer.
Hur påverkar den framåtriktade spänningen diodledningsförlusterna?
En framåtvänd spänning på 1,3 V för den inneboende dioden bestämmer ledningsfall när kroppsdioden leder under omvänd ström.
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 350 A 100 V Förbättring, 16 Ben, HDSOP, IAUS300N10S5N015T AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 327 A 80 V Förbättring, 16 Ben, HDSOP, IAUS300N08S5N014T AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 400 A 80 V Förbättring, 16 Ben, HDSOP, IAUS300N08S5N012T AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 400 A 80 V Förbättring, 16 Ben, HDSOP, IAUS300N08S5N011T AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 260 A 100 V Förbättring, 16 Ben, HDSOP, IAUS260N10S5N019T AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 34 A 750 V Förbättring, 22 Ben, PG-HDSOP-22, CoolSiC AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 81 A 750 V Förbättring, 22 Ben, PG-HDSOP-22, CoolSiC AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 64 A 750 V Förbättring, 22 Ben, PG-HDSOP-22, CoolSiC AEC-Q101
