Infineon N Kanal, MOSFET, 350 A 100 V Förbättring, 16 Ben, HDSOP, IAUS300N10S5N015T AEC-Q101

RS-artikelnummer:: 228-6530
Tillv. art.nr:: IAUS300N10S5N015TATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon N Kanal, MOSFET, 350 A 100 V Förbättring, 16 Ben, HDSOP, IAUS300N10S5N015T AEC-Q101

Antal (1 rulle med 1800 enheter)*

49 932,00 kr

(exkl. moms)

62 424,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

Tillfälligt slut

Leverans från den 20 april 2027

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rulle*
1800 +	27,74 kr	49 932,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 228-6530
Tillv. art.nr:: IAUS300N10S5N015TATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Produkttyp	MOSFET
	Kanaltyp	N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	350A
	Maximal källspänning för dränering Vds	100V
	Kapseltyp	HDSOP
	Serie	IAUS300N10S5N015T
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	16
	Maximal drain-källresistans Rds	1.5mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Framåtriktad spänning Vf	1.3V
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Maximal effektförlust Pd	375W
	Maximal arbetstemperatur	+175°C
	Standarder/godkännanden	No
	Fordonsstandard	AEC-Q101

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Produkttyp MOSFET
	Kanaltyp N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 350A
	Maximal källspänning för dränering Vds 100V
	Kapseltyp HDSOP
	Serie IAUS300N10S5N015T
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 16
	Maximal drain-källresistans Rds 1.5mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Framåtriktad spänning Vf 1.3V
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Maximal effektförlust Pd 375W
	Maximal arbetstemperatur +175°C
	Standarder/godkännanden No
	Fordonsstandard AEC-Q101

Datasheet-IAUS300N10S5N015TATMA1

Infineon IAUS300N10S5N015T-serien MOSFET, 100 V drain source-spänning, 350 A kontinuerlig drain-ström – IAUS300N10S5N015TATMA1

Denna MOSFET är en switchande transistor med hög strömstyrka som är utformad för krävande fordons- och krafttillämpningar och ger kontrollerad ledning i N-kanalsförstärkningsläge över ett brett temperaturområde. Den levereras i ett 16-stifts ytmonterat HDSOP-paket som är lämpligt för kompakta kretsar och uppfyller kriterierna för fordonsbelastning för användning i fordonselektronik.

Funktioner och fördelar:

• 100 V avtappningsklassning möjliggör högspänningsomkopplingsförmåga
• 350 A kontinuerlig dräneringsström stöder höga strömbelastningar
• Låg Rds(on) på 1.5 mΩ minskar ledningsförlusterna
• 375 W effektförlust möjliggör kontinuerlig termisk belastning
• ±20 V gränstolerans möjliggör robusta drivspänningsmarginaler
• Driftområde −55 °C till +175 °C för extrema miljöer

Användningsområden

• Lämplig för traktorväxelriktare i fordonsindustrin
• Idealisk för högströmsmotorstyrningsmoduler
• Används med batterihantering och strömfördelning
• Kan användas för DC/DC-omvandlare i fordon
• Lämplig för elektriska drivkretsar

Vilka förpackningsaspekter påverkar kretskortslayouten?

HDSOP-paketet för ytmontering kräver termiska kopparhöljen och flera kretskortsvägar för att hantera värme från hög effektförlust.

Hur hanterar enheten transientgatexkursioner?

Gate-toleransen på ±20 V definierar den maximala tillåtna gate-to-source-spänningen för skydd mot transient överspänning.

Vilken termisk miljö stöds under kontinuerlig drift?

Kontinuerlig drift specificeras över ett temperaturområde från -55 °C till +175 °C för att rymma både kalla starter och förhöjda underhustemperaturer.

Hur påverkar den framåtriktade spänningen diodledningsförlusterna?

En framåtvänd spänning på 1,3 V för den inneboende dioden bestämmer ledningsfall när kroppsdioden leder under omvänd ström.