Infineon N Kanal, MOSFET, 400 A 80 V Förbättring, 16 Ben, HDSOP, IAUS300N08S5N011T AEC-Q101

RS-artikelnummer:: 228-6524
Tillv. art.nr:: IAUS300N08S5N011TATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon N Kanal, MOSFET, 400 A 80 V Förbättring, 16 Ben, HDSOP, IAUS300N08S5N011T AEC-Q101

Antal (1 rulle med 1800 enheter)*

59 754,60 kr

(exkl. moms)

74 692,80 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

I lager

3 600 enhet(er) är redo att levereras

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rulle*
1800 +	33,197 kr	59 754,60 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 228-6524
Tillv. art.nr:: IAUS300N08S5N011TATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Produkttyp	MOSFET
	Kanaltyp	N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	400A
	Maximal källspänning för dränering Vds	80V
	Kapseltyp	HDSOP
	Serie	IAUS300N08S5N011T
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	16
	Maximal drain-källresistans Rds	1.1mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Maximal effektförlust Pd	375W
	Framåtriktad spänning Vf	1.2V
	Maximal arbetstemperatur	+175°C
	Standarder/godkännanden	No
	Fordonsstandard	AEC-Q101

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Produkttyp MOSFET
	Kanaltyp N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 400A
	Maximal källspänning för dränering Vds 80V
	Kapseltyp HDSOP
	Serie IAUS300N08S5N011T
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 16
	Maximal drain-källresistans Rds 1.1mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Maximal effektförlust Pd 375W
	Framåtriktad spänning Vf 1.2V
	Maximal arbetstemperatur +175°C
	Standarder/godkännanden No
	Fordonsstandard AEC-Q101

Datasheet-IAUS300N08S5N011TATMA1

Infineon IAUS300N08S5N011T-serien MOSFET, 80 V maximal drain-källspänning, 400 A maximal kontinuerlig drain-ström – IAUS300N08S5N011TATMA1

Denna MOSFET är en högströmsomkopplingsenhet som är utformad för krävande fordons- och industrimiljöer, och erbjuder N-kanalsförstärkningsläge i en kompakt ytmonterad kapsel. Den är avsedd att styra stora avtappningsströmmar och motstå förhöjda temperaturer samtidigt som den ger låga ledningsförluster för effektomvandling och omkopplingstillämpningar.

Funktioner och fördelar:

• Kontinuerlig dräneringsström på 400 A ger högströmsomkopplingsförmåga
• 1.1 mΩ Rds(on) minimerar ledningsförluster under belastningscykler
• 80 V drain-source-klassning möjliggör systemkompatibilitet med högre spänning
• Maximal effektförlust på 375 W stöder kraftig termisk belastning
• ±20 V gate-tolerans möjliggör robusta gate-drivspänningar
• Arbetsområde -55 °C till 175 °C möjliggör tillförlitlighet vid brett temperaturområde

Användningsområden

• Lämplig för växelriktarsteg i bilindustrin
• Idealisk för DC/DC-omvandlare med hög strömstyrka i fordon
• Används med dragmotorstyrenheter i elfordon
• Kan användas för omkoppling av industriella motordrivningar
• Används för hantering och distribution av högeffektsbatterier

Vilken kapslingstyp och monteringsmetod används?

Den levereras i en HDSOP-kapsel avsedd för ytmontering som underlättar kompakta kortlayouter och värmehantering.

Vilka diodegenskaper bör beaktas för omvänd ledningsförmåga?

Den inneboende dioden uppvisar en framåtriktad spänning på 1,2 V som informerar om ledningsförluster under frikopplingsintervall.

Hur många elektriska anslutningar finns tillgängliga på enheten?

Komponenten har 16 stift för att stödja grind-, dränerings- och källriktning för kretskortsdesigner med hög ström.

Vilken halvledarkanal och driftläge använder den?

Enheten använder en N-typ-kanal som drivs i förstärkningsläge, lämplig för standard MOSFET-gate-drivarkitekturer.