Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 47 A 700 V Förbättring, 3 Ben, TO-247AD, E AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor
Få en mängdrabatt

Lägg till 60 till för att spara 189,96 kr

Visa alternativ för volympriser

Antal (1 rör med 30 enheter)*

1 583,34 kr

(exkl. moms)

1 979,16 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Sista RS lager
  • Slutlig(a) 270 enhet(er), redo att levereras

Enheter
Per enhet
Per rör*
Besparing
30 - 3052,778 kr1 583,34 kr-
60 - 12049,612 kr1 488,36 kr189,96 kr
150 +44,86 kr1 345,80 kr1 187,70 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
228-2976
Tillv. art.nr:
SQW44N65EF-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Produkttyp

Effekt-MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

47A

Maximal källspänning för dränering Vds

700V

Kapseltyp

TO-247AD

Serie

E

Typ av fäste

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

73mΩ

Kanalläge

Förbättring

Framåtriktad spänning Vf

900mV

Maximal effektförlust Pd

500W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

30V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

177nC

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Fordonsstandard

AEC-Q101

Vishay serie E Power MOSFET, 700 V drain source-spänning, 47 A kontinuerlig drain-ström – SQW44N65EF-GE3


Denna effekt-MOSFET är en högspänningsswitchtransistor som är utformad för krävande elektroniska tillämpningar som kräver betydande strömhantering och förhöjd temperaturhållbarhet. Det är en N-kanalförstärkningsenhet som levereras i en TO-247AD-kapsel med genomgående hål och lämpar sig för strömomvandling, motorstyrningar och industriella omkopplingsmiljöer där kompakta, monterbara komponenter behövs.

Funktioner och fördelar:


• Drain-klassning på 700 V möjliggör konstruktion av högspänningssystem
• Kontinuerlig dräneringsström på 47 A med stöd för omkoppling vid kraftig belastning
• 73 mΩ Rds(on) minimerar ledningsförluster under belastning
• 177 nC typisk grindladdning minskar omkopplingsförluster
• Maximal effektförlust på 500 W klarar förhöjd termisk belastning
• Arbetsområde -55 till 175 °C klarar extrema temperaturer

Användningsområden


• Lämpligt för högspänningsströmförsörjningar och växelriktare
• Idealisk för drag- eller industriella motordriftsteg
• Används för hårt växlande och mjukt växlande topologier
• Kan användas för elektronik för omvandlare för förnybar energi
• Lämplig för elektroniska fordonsmoduler som kräver AEC-Q101

Vilka monteringsöverväganden gäller för denna komponent?


Enheten använder ett genomgående hål i en TO-247AD-kapsel, vilket möjliggör direkt kylfläns med en lämplig isolerad eller blank flik och konventionell skruvmontering för värmehantering.

Hur påverkar grindhantering omkopplingsprestanda?


Med en typisk grindladdning på 177 nC måste valet av grinddrivare ge tillräcklig toppström för att uppnå önskad dv/dt och minimera övergångsförluster.

Vilka termiska påfrestningar tål den under drift?


Transistorn är specifik för drift mellan -55 °C och 175 °C, så kretskortslayouten och kylningen måste utformas för att hålla kopplingstemperaturen inom det området under nominell avledning.

Finns det några överväganden för fordonsanvändning?


Den uppfyller AEC-Q101-kvalificeringen, vilket gör den lämplig för elektroniska fordonssystem där den angivna kvalificeringen krävs.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.