Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 34 A 700 V Förbättring, 3 Ben, TO-247AD, E AEC-Q101

RS-artikelnummer:: 228-2974
Tillv. art.nr:: SQW33N65EF-GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 34 A 700 V Förbättring, 3 Ben, TO-247AD, E AEC-Q101

Antal (1 rör med 30 enheter)*

1 614,57 kr

(exkl. moms)

2 018,22 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

I lager

300 enhet(er) är redo att levereras

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rör*
30 +	53,819 kr	1 614,57 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 228-2974
Tillv. art.nr:: SQW33N65EF-GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Vishay
	Produkttyp	Effekt-MOSFET
	Kanaltyp	N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	34A
	Maximal källspänning för dränering Vds	700V
	Kapseltyp	TO-247AD
	Serie	E
	Typ av fäste	Genomgående hål
	Antal ben	3
	Maximal drain-källresistans Rds	109mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Framåtriktad spänning Vf	0.9V
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	30V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	115nC
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Maximal effektförlust Pd	375W
	Maximal arbetstemperatur	175°C
	Standarder/godkännanden	RoHS
	Fordonsstandard	AEC-Q101

	Välj alla
	Varumärke Vishay
	Produkttyp Effekt-MOSFET
	Kanaltyp N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 34A
	Maximal källspänning för dränering Vds 700V
	Kapseltyp TO-247AD
	Serie E
	Typ av fäste Genomgående hål
	Antal ben 3
	Maximal drain-källresistans Rds 109mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Framåtriktad spänning Vf 0.9V
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 30V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 115nC
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Maximal effektförlust Pd 375W
	Maximal arbetstemperatur 175°C
	Standarder/godkännanden RoHS
	Fordonsstandard AEC-Q101

Datasheet - SQW33N65EF-GE3

Vishay serie E Power MOSFET, 700 V drain source-spänning, 34 A maximal kontinuerlig drain-ström – SQW33N65EF-GE3

Denna effekt-MOSFET är en högspänningstransistor med N-kanal som är utformad för omkopplings- och strömomvandlingsuppgifter i industri- och fordonssammanhang. Den levereras i en TO-247AD-förpackning med genomgående hål för robust montering och termisk hantering, och den fungerar över ett brett omgivningstemperaturområde som lämpar sig för krävande miljöer.

Funktioner och fördelar:

• 700 V avtappningsklassning möjliggör högspänningsomkopplingstillämpningar • Kontinuerlig dräneringsström på 34 A stöder betydande belastningsströmmar • 109 mΩ Rds(on) minskar ledningsförluster i effektsteg • 115 nC typisk grindladdning för förutsägbart omkopplingsbeteende • 30 V gate-tolerans möjliggör kompatibilitet med vanliga gate-drivrutiner • 375 W effektförlust bidrar till termisk marginal under hög belastning

Användningsområden

• Lämpligt för motorstyrningssteg som kräver högspänningskoppling • Idealisk för DC-DC-omvandlare i industriella nätaggregat • Används för fordonsströmförsörjningsmoduler som uppfyller AEC-Q101-kraven • Kan användas för högspänningsomriktare och UPS-kretsar

Vilka omgivningstemperaturer tål den under drift?

Den kan fungera från -55 °C upp till 175 °C, vilket möjliggör användning i tuffa termiska miljöer.

Hur påverkar val av förpackning kylning och montering?

TO-247AD-formatet med genomgående hål ger en stor metallflik för kylelement och säker kortslutning för högeffektsmonteringar.

Vilken prestanda bör förväntas under omkopplingshändelser?

Typisk grindladdning är 115 nC vid den angivna grinddrivningen, vilket informerar grinddrivarens storlek och beräkningar av omkopplingsförlust.

Är denna enhet lämplig för användning i säkerhetsmedveten fordonselektronik?

Den överensstämmer med AEC-Q101 fordonsstandarder och är avsedd för tillämpningar av fordonskvalitet där en sådan kvalificering krävs.