Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 90 A 40 V Förbättring, 4 Ben, SO-8, TrenchFET AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 228-2955
- Tillv. art.nr:
- SQJ147ELP-T1_GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 10 enheter)*
111,78 kr
(exkl. moms)
139,72 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 1 480 enhet(er) från den 09 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 11,178 kr | 111,78 kr |
| 100 - 240 | 10,618 kr | 106,18 kr |
| 250 - 490 | 8,378 kr | 83,78 kr |
| 500 - 990 | 7,84 kr | 78,40 kr |
| 1000 + | 6,138 kr | 61,38 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 228-2955
- Tillv. art.nr:
- SQJ147ELP-T1_GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 90A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Kapseltyp | SO-8 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 12.5mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | -0.76V | |
| Maximal effektförlust Pd | 183W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 85nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 90A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Kapseltyp SO-8 | ||
Serie TrenchFET | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 12.5mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf -0.76V | ||
Maximal effektförlust Pd 183W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 85nC | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Vishay TrenchFET fordons-P-kanal är en 40 V effekt-MOSFET.
100 % Rg och UIS-testad
Relaterade länkar
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 90 A 40 V Förbättring, 4 Ben, SO-8, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 33.6 A 100 V Förbättring, 4 Ben, SO-8, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay P-kanal Kanal, MOSFET, -128 A -80 V Förbättring, 4 Ben, PowerPAK SO-8L, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Siliconix Typ P Kanal, MOSFET, 16 A 80 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Siliconix Typ P Kanal, MOSFET, 9.4 A 200 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Siliconix Typ P Kanal, MOSFET, 30 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Typ N, Typ P Kanal, MOSFET, 7.3 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Siliconix 2 Typ N, Typ P Kanal Dubbel, MOSFET, 30 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET AEC-Q101