Vishay N Kanal, MOSFET, 67.4 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8SH, TrenchFET

Se alla MOSFET-transistor
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
228-2929
Tillv. art.nr:
SiSH536DN-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström (Id)

67.4 A

Maximal källspänning för dränering (Vds)

30 V

Kanalläge

Förbättring

Antal ben

8

Kapseltyp

PowerPAK 1212-8SH

Serie

TrenchFET

Fordonsstandard

Nej

Maximal drain-källresistans (Rds)

3.25 mΩ

Maximal spänning för grindkälla (Vgs)

16 V

Maximal arbetstemperatur

150 °C

Maximal effektförlust (Pd)

26.5 W

Minsta arbetsstemperatur

-55 °C

Typ av fäste

Yta

Standarder/godkännanden

No

Typisk grindladdning (Qg) @ Vgs

16.6 nC

The Vishay N-Channel 30 V (D-S) MOSFET.

100 % Rg and UIS tested

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.