Vishay N Kanal, MOSFET, 299 A 80 V, 4 Ben, PowerPAK (8x8L), N-Channel 80 V

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 förpackning med 2 enheter)*

134,62 kr

(exkl. moms)

168,28 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Lagerinformation är för närvarande otillgänglig - kom tillbaka senare

Enheter
Per enhet
Per förpackning*
2 - 1867,31 kr134,62 kr
20 - 4863,95 kr127,90 kr
50 - 9851,855 kr103,71 kr
100 - 19847,095 kr94,19 kr
200 +39,09 kr78,18 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
225-9921
Tillv. art.nr:
SIJH800E-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

299A

Maximal källspänning för dränering Vds

80V

Kapseltyp

PowerPAK (8x8L)

Serie

N-Channel 80 V

Typ av fäste

Yta

Antal ben

4

Maximal drain-källresistans Rds

1.8mΩ

Maximal effektförlust Pd

3.3W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

210nC

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

8mm

Längd

8.1mm

Bredd

1.9mm

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

Vishay Siliconix upprätthåller tillförlitlighetsdata för halvledarteknik och förpackningens tillförlitlighet representerar en sammansättning av alla kvalificerade platser.

TrenchFET Gen IV Power MOSFET

Helt blyfri (Pb)-enhet

Optimerat Qg, Qgd och Qgd/Qgs-förhållande minskar omkopplingsrelaterad effektförlust

50 % mindre fotavtryck än D2PAK (TO-263)

100 % Rg och UIS-testad

Relaterade länkar