Infineon N Kanal, MOSFET, 120 A 80 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS
- RS-artikelnummer:
- 222-4690
- Tillv. art.nr:
- IPP020N08N5AKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rör med 50 enheter)*
2 292,65 kr
(exkl. moms)
2 865,80 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 200 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 45,853 kr | 2 292,65 kr |
| 100 - 200 | 43,559 kr | 2 177,95 kr |
| 250 + | 40,808 kr | 2 040,40 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 222-4690
- Tillv. art.nr:
- IPP020N08N5AKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 120A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 80V | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Serie | CoolMOS | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 2mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 178nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 375W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 15.95mm | |
| Höjd | 4.57mm | |
| Längd | 10.36mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 120A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 80V | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Serie CoolMOS | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 2mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 178nC | ||
Maximal effektförlust Pd 375W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 15.95mm | ||
Höjd 4.57mm | ||
Längd 10.36mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons MOSFET-transistorer, även kända som MOSFET-transistorer, står för ”metalloxidhalvledartransistorer med fälteffekt”. MOSFET-transistorer är transistornheter som styrs av en kondensator. "Fälteffekten innebär att de styrs av spänning." Målet med en MOSFET är att styra flödet av strömmen som passerar från källan till avtappningsterminalerna
Blyfri plätering; RoHS-kompatibel
Överlägsen värmebeständighet 100 % avalanche-testad
Halogenfri enligt IEC61249-2-23
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 120 A 80 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS
- Infineon N Kanal, MOSFET, 120 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS
- Infineon N Kanal, MOSFET, 120 A 80 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS
- Infineon N Kanal, MOSFET, 37.9 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS
- Infineon N Kanal, MOSFET, 13 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS
- Infineon N Kanal, MOSFET, 31 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS
- Infineon N Kanal, MOSFET, 22 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS
- Infineon N Kanal, MOSFET, 44 A 300 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS