Infineon N Kanal, MOSFET, 44 A 300 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS
- RS-artikelnummer:
- 222-4694
- Tillv. art.nr:
- IPP410N30NAKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
- RS-artikelnummer:
- 222-4694
- Tillv. art.nr:
- IPP410N30NAKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 44A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 300V | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Serie | CoolMOS | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 41mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 65nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 300W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Bredd | 15.95mm | |
| Längd | 10.36mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 4.57mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 44A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 300V | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Serie CoolMOS | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 41mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 65nC | ||
Maximal effektförlust Pd 300W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Bredd 15.95mm | ||
Längd 10.36mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 4.57mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons MOSFET-transistorer, även kända som MOSFET-transistorer, står för metalloxidhalvledartransistorer med fälteffekt. MOSFET-transistorer är transistornheter som styrs av en kondensator. "Fälteffekten innebär att de styrs av spänning." Målet med en MOSFET är att styra flödet av strömmen som passerar genom källan till avtappningsterminalerna.
Blyfri plätering; RoHS-kompatibel
Överlägsen värmebeständighet 100 % avalanche-testad
Halogenfri enligt IEC61249-2-23
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 44 A 300 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS
- Infineon N Kanal, MOSFET, 44 A 600 V Förbättring, 8 Ben, HSOF, CoolMOS P7
- Infineon N Kanal, MOSFET, 37.9 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS
- Infineon N Kanal, MOSFET, 13 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS
- Infineon N Kanal, MOSFET, 31 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS
- Infineon N Kanal, MOSFET, 22 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS
- Infineon N Kanal, MOSFET, 120 A 80 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS
- Infineon N Kanal, MOSFET, 120 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS
