Infineon N Kanal, MOSFET, 14 A 900 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS
- RS-artikelnummer:
- 222-4647
- Tillv. art.nr:
- IPA95R450P7XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
166,66 kr
(exkl. moms)
208,33 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 75 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 33,332 kr | 166,66 kr |
| 25 - 45 | 26,298 kr | 131,49 kr |
| 50 - 120 | 24,64 kr | 123,20 kr |
| 125 - 245 | 22,982 kr | 114,91 kr |
| 250 + | 21,348 kr | 106,74 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 222-4647
- Tillv. art.nr:
- IPA95R450P7XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 14A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 900V | |
| Serie | CoolMOS | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 450mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 30W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 30V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 900mV | |
| Maximal arbetstemperatur | +150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 14A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 900V | ||
Serie CoolMOS | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 450mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 30W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 30V | ||
Framåtriktad spänning Vf 900mV | ||
Maximal arbetstemperatur +150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon CoolMOS-serien MOSFET, 900 V drain-källspänning, 14 A kontinuerlig drain-ström – IPA95R450P7XKSA1
Denna MOSFET är en högspänningsswitchtransistor som är utformad för strömomvandling och styrning i krävande elektriska system. Det är en N-kanals förstärkningsenhet som levereras i en TO-220-kapsel för ytmontering, avsedd för tillämpningar som kräver betydande blockeringsspänning och måttlig kontinuerlig ström samtidigt som den arbetar över ett brett temperaturområde.
Funktioner och fördelar:
• 900 V drain-source-klassning möjliggör högspänningsswitchning
• 14 A kontinuerlig dräneringsström stöder betydande belastningsström
• 450 mΩ Rds(on) minimerar ledningsförluster under drift
• Effektförlust på 30 W möjliggör hållbar strömhantering
• 0,9 V framspänning minskar ledningsfall mellan kropp och diod
• 30 V gate-source-klassning möjliggör typiska gate-drivspänningar
• 14 A kontinuerlig dräneringsström stöder betydande belastningsström
• 450 mΩ Rds(on) minimerar ledningsförluster under drift
• Effektförlust på 30 W möjliggör hållbar strömhantering
• 0,9 V framspänning minskar ledningsfall mellan kropp och diod
• 30 V gate-source-klassning möjliggör typiska gate-drivspänningar
Användningsområden
• Lämplig för industriella högspänningsströmförsörjningar
• Idealisk för omkopplingsläget strömomvandlingssteg
• Används för front-end-switching av motordrivkretsar
• Kan användas för högspänningskopplingskretsar
• Används med värmehantering i system med förhöjd temperatur
• Idealisk för omkopplingsläget strömomvandlingssteg
• Används för front-end-switching av motordrivkretsar
• Kan användas för högspänningskopplingskretsar
• Används med värmehantering i system med förhöjd temperatur
Vilket temperaturområde kan den tolerera under drift?
Den fungerar i ett omgivningstemperaturområde från -55 °C till +150 °C.
Vilken monteringsstil krävs för kretsmontering?
Den levereras i en TO-220-kapsel avsedd för ytmontering.
Hur begränsas grinddrivningen av enhetens klassificeringar?
Den maximala tillåtna gate-källspänningen är 30 V, så gate-enheten får inte överskrida denna.
Vilka ledningsegenskaper påverkar omkopplingsförlusterna?
Enheten har en maximal drain-source-resistans på 450 mΩ som påverkar ledningsförlusterna.
Hur mycket kontinuerlig ström kan den upprätthålla under nominella förhållanden?
Den kan bära en kontinuerlig dräneringsström på upp till 14 A.
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 14 A 900 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS
- Infineon N Kanal, MOSFET, 14 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS CFD7
- Infineon N Kanal, MOSFET, 37.9 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS
- Infineon N Kanal, MOSFET, 13 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS
- Infineon N Kanal, MOSFET, 31 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS
- Infineon N Kanal, MOSFET, 22 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS
- Infineon N Kanal, MOSFET, 120 A 80 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS
- Infineon N Kanal, MOSFET, 44 A 300 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS