Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 40 A 100 V Förbättring, 8 Ben, TSDSON, OptiMOS-TM3
- RS-artikelnummer:
- 222-4633
- Tillv. art.nr:
- BSZ150N10LS3GATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 rulle med 5000 enheter)*
27 040,00 kr
(exkl. moms)
33 800,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 5 000 enhet(er) från den 31 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 5000 + | 5,408 kr | 27 040,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 222-4633
- Tillv. art.nr:
- BSZ150N10LS3GATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 40A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Serie | OptiMOS-TM3 | |
| Kapseltyp | TSDSON | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 15mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal effektförlust Pd | 63W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 26nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 5.35mm | |
| Bredd | 6.1mm | |
| Höjd | 1.2mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 40A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Serie OptiMOS-TM3 | ||
Kapseltyp TSDSON | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 15mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal effektförlust Pd 63W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 26nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 5.35mm | ||
Bredd 6.1mm | ||
Höjd 1.2mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
"Infineons design av MOSFET-transistorer, även kända som MOSFET-transistorer, står för ""metalloxidhalvledartransistorer med fälteffekt""." MOSFET-transistorer är transistornheter som styrs av en kondensator. "Fälteffekten innebär att de styrs av spänning." Målet med en MOSFET är att styra flödet av strömmen som passerar genom källan till avtappningsterminalerna.
Blyfri plätering; RoHS-kompatibel
Överlägsen värmebeständighet 100 % avalanche-testad
Halogenfri enligt IEC61249-2-23
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 40 A 100 V Förbättring, 8 Ben, TSDSON, OptiMOS-TM3
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 63 A 60 V Förbättring, 8 Ben, TSDSON, OptiMOS-TM3
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 114 A 40 V Förbättring, 8 Ben, TSDSON, OptiMOS-TM3
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 126 A 40 V Förbättring, 8 Ben, TSDSON, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 40 A 30 V Förbättring, 8 Ben, TSDSON, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 40 A 25 V Förbättring, 8 Ben, TSDSON, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 25 V Förbättring, 8 Ben, TSDSON, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 40 A 40 V Förbättring, 8 Ben, TSDSON, OptiMOS 3