ROHM 2 Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 3 A 100 V Förbättring, 8 Ben, SOP, SP8K52 AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 222-4375
- Tillv. art.nr:
- SP8K52HZGTB
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
- RS-artikelnummer:
- 222-4375
- Tillv. art.nr:
- SP8K52HZGTB
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | ROHM | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 3A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Kapseltyp | SOP | |
| Serie | SP8K52 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 17mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 8.5nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 2W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Transistorkonfiguration | Dubbel | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 5mm | |
| Höjd | 1.75mm | |
| Antal element per chip | 2 | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke ROHM | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 3A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Kapseltyp SOP | ||
Serie SP8K52 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 17mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 8.5nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 2W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Transistorkonfiguration Dubbel | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 5mm | ||
Höjd 1.75mm | ||
Antal element per chip 2 | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
ROHM SP8K52HZG n MOSFET av fordonskvalitet som är EC-Q101-kvalificerad. Två Nch 100 V MOSFET:er ingår i SOP8-kapseln. Inbyggd ESD-skyddsdiod. Idealisk för omkopplingstillämpningar.
Låg på-resistans
Litet ytmonterat paket (SOP8)
Blyfri plätering; RoHS-kompatibel
AEC-Q101-kvalificerad
Relaterade länkar
- ROHM 2 Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 3 A 100 V Förbättring, 8 Ben, SOP, SP8K52 AEC-Q101
- ROHM 2 Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 4.5 A 45 V Förbättring, 8 Ben, SOP, SP8K22 AEC-Q101
- ROHM 2 Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 6 A 45 V Förbättring, 8 Ben, SOP, SP8K24 AEC-Q101
- ROHM 2 Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 3.4 A 80 V Förbättring, 8 Ben, SOP, SP8K41 AEC-Q101
- ROHM 2 Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 5 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SOP, SP8K33 AEC-Q101
- ROHM 1 Typ N, Typ P Kanal Dubbel, MOSFET, 3 A 100 V Förbättring, 8 Ben, SOP, SP8M5 AEC-Q101
- ROHM 2 Typ N, Typ P Kanal Dubbel, MOSFET, 9 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOP, SP8M4 AEC-Q101
- ROHM 2 Typ P, Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 5 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOP, SP8M5 AEC-Q101