ROHM 2 Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 3.4 A 80 V Förbättring, 8 Ben, SOP, SP8K41 AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 222-4374
- Tillv. art.nr:
- SP8K41HZGTB
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
143,92 kr
(exkl. moms)
179,90 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Sista RS lager
- Slutlig(a) 3 935 enhet(er), redo att levereras
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 28,784 kr | 143,92 kr |
| 50 - 95 | 25,178 kr | 125,89 kr |
| 100 - 245 | 22,356 kr | 111,78 kr |
| 250 - 995 | 20,16 kr | 100,80 kr |
| 1000 + | 19,78 kr | 98,90 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 222-4374
- Tillv. art.nr:
- SP8K41HZGTB
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | ROHM | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 3.4A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 80V | |
| Serie | SP8K41 | |
| Kapseltyp | SOP | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 13mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 2W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 6.6nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Transistorkonfiguration | Dubbel | |
| Höjd | 1.75mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 5mm | |
| Antal element per chip | 2 | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke ROHM | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 3.4A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 80V | ||
Serie SP8K41 | ||
Kapseltyp SOP | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 13mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 2W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 6.6nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Transistorkonfiguration Dubbel | ||
Höjd 1.75mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 5mm | ||
Antal element per chip 2 | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
ROHM SP8K41HZG n MOSFET av fordonskvalitet som är EC-Q101-kvalificerad. Två Nch 80 V MOSFET:er ingår i SOP8-kapseln. Inbyggd ESD-skyddsdiod. Idealisk för omkopplingstillämpningar.
Låg på-resistans
Litet ytmonterat paket (SOP8)
Blyfri plätering; RoHS-kompatibel
Halogenfri
Sn100 % plätering
AEC-Q101-kvalificerad
Relaterade länkar
- ROHM 2 Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 3.4 A 80 V Förbättring, 8 Ben, SOP, SP8K41 AEC-Q101
- ROHM 2 Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 4.5 A 45 V Förbättring, 8 Ben, SOP, SP8K22 AEC-Q101
- ROHM 2 Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 6 A 45 V Förbättring, 8 Ben, SOP, SP8K24 AEC-Q101
- ROHM 2 Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 3 A 100 V Förbättring, 8 Ben, SOP, SP8K52 AEC-Q101
- ROHM 2 Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 5 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SOP, SP8K33 AEC-Q101
- ROHM 1 Typ N, Typ P Kanal Dubbel, MOSFET, 3 A 100 V Förbättring, 8 Ben, SOP, SP8M5 AEC-Q101
- ROHM 2 Typ N, Typ P Kanal Dubbel, MOSFET, 9 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOP, SP8M4 AEC-Q101
- ROHM 2 Typ P, Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 5 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOP, SP8M5 AEC-Q101